[发明专利]集成的外延金属电极

权利要求书

1.一种分层结构，其包括：

基底；

在所述基底上外延生长的第一稀土氧化物层；

在所述稀土氧化物层上外延生长的第一金属层；以及

在所述第一金属层上外延生长的第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述基底包括选自硅(Si)、锗(Ge)、绝缘体上硅(SOI)以及SiGe的一种或多种IV族元素。

3.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述基底具有高达10度的斜切的<100>或<111>的晶体取向。

4.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述基底包括来自III族和V族的元素。

5.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述基底选自Ga₂O₃和Al₂O₃。

6.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述稀土氧化物层包括选自周期表的镧系元素、钪(Sc)和钇(Y)的稀土金属元素。

7.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述稀土氧化物层由氧-金属比为1至2的稀土氧化物构成。

8.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述第一金属层包括选自周期表的过渡金属组的金属元素。

9.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述第一半导体层包括选自III族、IV族、V族的元素。

10.根据权利要求1所述的分层结构，其中：

所述基底由硅构成；

所述稀土氧化物层由氧-金属比为1.5的氧化铒(ErO_1.5)构成；以及

所述第一金属层由钼(Mo)构成。

11.根据权利要求9所述的分层结构，其中，所述第一半导体层由Al_xSc_1-xN(0≤x<1)构成。

12.根据权利要求10所述的分层结构，其中：

所述基底，当由Si构成时，具有<100>的晶体取向；

所述稀土氧化物层，当由ErO_1.5构成时，具有<110>的晶体取向；以及

所述第一金属层，当由Mo构成时，具有<211>的晶体取向。

13.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述稀土氧化物层由多种稀有金属氧化物组分构成，并且所述多种稀有金属氧化物组分具有不同的金属元素或不同的氧-金属比。

14.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述稀土氧化物层包括由第一稀土氧化物构成的第一子层和由第二稀土氧化物构成的第二子层。

15.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述稀土氧化物层包括由第一稀土氧化物构成的第一区域和由第二稀土氧化物构成的第二区域，并且其中，所述第一区域以渐变图案过渡到所述第二区域。

16.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述稀土氧化物层包括由第一稀土氧化物构成的第一子层和由第二稀土氧化物构成的第二子层，并且其中，所述第一子层和所述第二子层以超晶格结构重复。

17.根据权利要求13所述的分层结构，其中，所述第二金属氧化物还包含III族元素。

18.根据权利要求1所述的分层结构，其中，所述第一金属层包括由第一金属构成的第一子层和由第二金属构成的第二子层。