[发明专利]用作沉积掩模的合金金属箔、沉积掩模及其制造方法以及利用该沉积掩模的有机发光元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201780058822.7 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN109790628A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 郑官颢;梁洪硕;李载坤;金县泰;金基洙 申请(专利权)人: POSCO公司
主分类号: C23F1/02 分类号: C23F1/02;C23F1/44;C25D1/10;B21B1/40;C22C38/08;C23C14/04;H01L51/00;H01L51/56
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 刘成春;张晶
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 沉积掩模 金属箔 图案形成区域 未涂覆区域 制造 有机发光元件 表面粗糙度 有机EL元件 合金金属 微细 通孔 包围
【说明书】:

发明涉及一种在金属箔形成多个微细的通孔的沉积掩模、用于该沉积掩模的金属箔及其制造方法以及利用所述沉积掩模制造有机EL元件的方法,提供一种用作沉积掩模的Fe‑Ni合金金属箔,其包括:Ni:34~46重量%、余量的Fe及不可避免的杂质,所述金属箔在至少一面上包括图案形成区域和未涂覆区域,相比所述未涂覆区域,所述图案形成区域的厚度薄、表面粗糙度值小,所述未涂覆区域位于金属箔的边缘并包围图案形成区域。

技术领域

本发明涉及一种在金属箔形成多个微细的通孔的沉积掩模、用于该沉积掩模的金属箔及其制作方法。另外,涉及一种利用所述沉积掩模制造有机电致发光(EL)元件的方法。

背景技术

近年来,随着智能设备的大众化,对虚拟现实(VR)设备的要求逐渐提高,同时,响应速度快、视角广、对比度优异且电力消耗低的有机EL显示器装置受到瞩目。尤其,VR的分辨率越高,提供更大的现实感,因此未来更加需要提高VR设备的画质。

为了制造高画质的有机EL显示器,需要显示器装置的像素的微细化。作为形成这种有机EL显示器装置的像素的方法,众所周知的有使用以所要形成的图案的排列形成通孔的沉积掩模来形成所需图案的像素的方法。具体地,将包括通孔的排列的沉积掩模紧贴于有机EL显示器基板,以形成通过真空沉积方式沉积的有机材料的像素。

一般来说,在金属箔涂覆光致抗蚀剂膜,并使用光刻技术形成光致抗蚀剂图案,然后通过湿式或干式蚀刻在金属箔形成贯穿的孔(通孔),从而可以制造沉积掩模。

但是,由于需要显示器装置的像素微细化,作为沉积掩模的原材料的金属箔的粗糙度凸显为更重要的特性。在粗糙度高的金属箔上形成图案时,图案的形状变得不精确、均匀度降低,因此可能不适合用于高分辨率的沉积掩模。

此外,在需要像素微细化的情况下,利用约50μm至100μm程度的较厚的金属箔来形成高分辨率的图案的方面上,存在技术困难。例如,在厚度较厚的金属箔上形成通孔图案时,由于厚度较厚,在蚀刻过程中发生相邻图案之间的干涉,从而可能无法形成精确的图案。

作为解决如上所述的问题的方案,可以利用以较薄的厚度制造的方法。但是当厚度薄至20μm以下的程度而过于薄时,强度降低,并且在制造沉积掩模时,可能会发生基板变形以及伴随操作困难的问题。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的各实施例是为了解决上述的问题而提出的,尤其,可以提供一种在蚀刻金属箔时能够精确地形成微细图案以制造沉积掩模的金属箔及包括微细的图案的沉积掩模。

另外,可以提供一种在以这种金属箔为基础制造具有多个通孔的沉积掩模时能够保持沉积掩模的强度的金属箔及沉积掩模。

(二)技术方案

本发明的一个方面,提供一种用作沉积掩模的Fe-Ni合金金属箔,根据一个实施例的金属箔包括:Ni:34~46重量%、余量的Fe及不可避免的杂质,所述金属箔在至少一面上包括图案形成区域和未涂覆区域,相比所述未涂覆区域,所述图案形成区域的厚度薄、表面粗糙度值小,所述未涂覆区域位于所述金属箔的边缘并包围图案形成区域。

所述图案形成区域的厚度可以为未涂覆区域的厚度的25%至88%,所述图案形成区域的厚度可以具有5μm至15μm的范围。

所述Fe-Ni合金金属箔通过电铸而制造,所述图案形成区域的粗糙度值小于所述未涂覆区域的粗糙度。例如,所述图案形成区域的表面粗糙度值可以为未涂覆区域的表面粗糙度值的30%以上且80%以下。

本发明的另一方面,提供一种用作沉积掩模的Fe-Ni合金金属箔的制造方法,其特征在于,对所述Fe-Ni合金金属箔的一面中除了边缘以外的图案形成区域实施化学研磨,以使所述图案形成区域的厚度变薄,所述Fe-Ni合金金属箔包括:Ni:34~46重量%、余量的Fe及不可避免的杂质。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于POSCO公司,未经POSCO公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780058822.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top