[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201780059470.7 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN109791892A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 北川英树;大东彻;今井元;菊池哲郎;铃木正彦;伊藤俊克;上田辉幸;西宫节治;原健吾 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/06;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/32;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 开口部 无机绝缘层 有机绝缘层 源矩阵基板 电介质层 像素电极 接触孔 侧面 基板 像素 氧化物半导体层 薄膜晶体管 层叠结构 氮化硅层 覆盖薄膜 共用电极 漏极电极 像素区域 氧化硅层 对齐 不连续 氮化硅 晶体管 交界 制造
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵基板,具备多个像素区域,上述有源矩阵基板的特征在于,

上述多个像素区域各自具备:

基板;

薄膜晶体管,其支撑于上述基板,具有氧化物半导体层作为活性层;

无机绝缘层,其以覆盖上述薄膜晶体管的方式形成;

有机绝缘层,其形成于上述无机绝缘层上;

共用电极,其配置于上述有机绝缘层上;

像素电极,其隔着电介质层配置于上述共用电极上;以及

像素接触部,其将上述像素电极与上述薄膜晶体管的漏极电极电连接,

上述无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构,上述氧化硅层主要包含氧化硅,上述氮化硅层配置于上述氧化硅层上,主要包含氮化硅,

上述电介质层主要包含氮化硅,

上述像素电极在设置于上述无机绝缘层、上述有机绝缘层以及上述电介质层的像素接触孔内与上述漏极电极接触,

上述像素接触孔包括分别形成于上述无机绝缘层、上述有机绝缘层以及上述电介质层的第1开口部、第2开口部以及第3开口部,

上述第1开口部的侧面与上述第2开口部的侧面对齐,

上述第2开口部的上述侧面包含:第1部分,其相对于上述基板按第1角度倾斜;第2部分,其位于上述第1部分的上方,相对于上述基板按比上述第1角度大的第2角度倾斜;以及交界,其位于上述第1部分与上述第2部分之间,相对于上述基板的倾斜角度不连续地变化。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,

从基板1的法线方向观看时,上述第3开口部位于上述第1开口部和上述第2开口部的内部。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,

在上述交界处,上述第1部分与上述第2部分所成的角度是120°以上170°以下。

4.一种有源矩阵基板,具备多个像素区域,上述有源矩阵基板的特征在于,

上述多个像素区域各自具备:

薄膜晶体管,其支撑于上述基板,具有氧化物半导体层作为活性层;

无机绝缘层,其以覆盖上述薄膜晶体管的方式形成;

有机绝缘层,其形成于上述无机绝缘层上;

共用电极,其配置于上述有机绝缘层上;

像素电极,其隔着电介质层配置于上述共用电极上;以及

像素接触部,其将上述像素电极与上述薄膜晶体管的漏极电极电连接,

上述无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构,上述氧化硅层主要包含氧化硅,上述氮化硅层配置于上述氧化硅层上,主要包含氮化硅,

上述电介质层主要包含氮化硅,

上述像素电极在设置于上述无机绝缘层、上述有机绝缘层以及上述电介质层的像素接触孔内与上述漏极电极接触,

上述像素接触孔包括分别形成于上述无机绝缘层、上述有机绝缘层以及上述电介质层的第1开口部、第2开口部以及第3开口部,

上述第1开口部的侧面的至少一部分被上述有机绝缘层覆盖,

从上述基板的法线方向观看时,上述第3开口部位于上述第1开口部和上述第2开口部的内部。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,

从上述基板的法线方向观看时,上述第2开口部位于上述第1开口部的内部。

6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,

从上述基板的法线方向观看时,仅上述第2开口部的一部分位于上述第1开口部的内部。

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