[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一有机层、以及设置于阳极与阴极之间的第二有机层，

所述第一有机层为含有式(T)所示的化合物和式(B)所示的荧光发光性化合物的层，

所述第二有机层为含有交联材料的交联体的层，

所述式(T)所示的化合物的最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.50eV以下，

所述式(B)所示的荧光发光性化合物的最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.55eV以上且2.5eV以下，

式(T)中，

n^T1表示0以上且5以下的整数，在存在多个n^T1的情况下，它们任选相同或不同，

n^T2表示1以上且10以下的整数，

Ar^T1为包含不具有双键的氮原子作为环构成原子且不包含具有双键的氮原子作为环构成原子的、单环或稠环的一价杂环基，该基团任选具有取代基，在存在多个该取代基的情况下，它们任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，在存在多个Ar^T1的情况下，它们任选相同或不同，

L^T1表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(R^T1')-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基，R^T1'表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，在存在多个L^T1的情况下，它们任选相同或不同，

Ar^T2为包含具有双键的氮原子作为环构成原子的、单环或稠环的杂环基，该基团任选具有取代基，在存在多个该取代基的情况下，它们任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，

式(B)中，

n^1B表示0以上且15以下的整数，

Ar^1B表示稠环的芳香族烃基，这些基团任选具有取代基，在存在多个该取代基的情况下，它们任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，

R^1B表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基、链烯基、环烯基、链炔基或环炔基，这些基团任选具有取代基，在存在多个R^1B的情况下，任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述Ar^1B为从萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、三亚苯环、并四苯环、芴环、螺二芴环、芘环、苝环、环、茚环、荧蒽环、苯并荧蒽环或苊并荧蒽环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，该基团任选具有取代基。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述R^1B为烷基、芳基或取代氨基，这些基团任选具有取代基。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述交联材料为具有选自交联基A组中的至少1种交联基的低分子化合物、或者包含具有选自交联基A组中的至少1种交联基的交联结构单元的高分子化合物，

交联基A组：

式中，R^XL表示亚甲基、氧原子或硫原子，n^XL表示0～5的整数，在存在多个R^XL的情况下，它们任选相同或不同，在存在多个n^XL的情况下，它们任选相同或不同，*1表示键合位置，这些交联基任选具有取代基。