[发明专利]高聚物、包含其的混合物、组合物和有机电子器件以及用于聚合的单体

权利要求书

1.一种高聚物，其特征在于，包括通式(1)所示的重复单元：

其中，n和m是大于或等于1的整数；n:m的比例为从4:6到6:4；重复单元E1在高聚物中的摩尔占比为30％到50％；重复单元E2在高聚物中的摩尔占比为30％到50％；

min((LUMO(E1)-HOMO(E2),LUMO(E2)-HOMO(E1))≤min(E_T(E1),E_T(E2))+0.1eV，其中，LUMO(E1)、HOMO(E1)及E_T(E1)分别是E1基团的最高占有轨道、最低未占有轨道及三线态的能级，LUMO(E2)、HOMO(E2)及E_T(E2)分别是E2基团的最高占有轨道、最低未占有轨道及三线态的能级。

2.根据权利要求1所述的高聚物，其特征在于，HOMO(E1)-(HOMO-1)(E1)≥0.3eV和/或HOMO(E2)-(HOMO-1)(E2)≥0.3eV，其中，(HOMO-1)(E1)是所述E1基团的第二高的占有轨道能级，(HOMO-1)(E2)是所述E2基团的第二高的占有轨道能级。

3.根据权利要求1-2中任何一个所述的高聚物，其特征在于，n:m的比例为从5:5到6:4。

4.根据权利要求1-2中任何一个所述的高聚物，其特征在于，包括通式(2)所示的重复单元:

其中，R选自具有1-15个碳原子的直链烷烃、具有1-15个碳原子的支链烷烃、具有2-20个碳原子的芳香族、杂芳香族以及非芳香族环系中的至少一种；o是大于或等于0的整数。

5.根据权利要求1-2中任何一个所述的高聚物，其特征在于，所述E1基团含有供电子基D，和/或所述E2基团含有吸电子基A。

6.根据权利要求1所述的高聚物，其特征在于，所述E1基团含有通式(I)所代表的结构单元：

其中，Ar为芳香族或杂芳族结构单元，D为供电子基，D在多次出现时相同或不相同，p为1到6之间的整数，q是0或1。

7.根据权利要求6所述的高聚物，其特征在于，D含有取代或未取代的、结构式D1至D15所代表的结构单元的至少一种：

8.根据权利要求1所述的高聚物，其特征在于，所述E2基团含有通式(II)所代表的结构单元：

其中，Ar为芳香族或杂芳族结构单元，A为吸电子基，A在多次出现时相同或不相同，r为1到6之间的整数，s等于0或1。

9.根据权利要求8所述的高聚物，其特征在于，A选自F或氰基，此时，s等于1；或A包括取代或未取代的如下结构单元中的至少一种：

其中，n1是一个从1到3的整数；X¹-X⁸选于CR¹²或N，并且至少有一个是N，其中R¹²为氢、烷基、烷氧基、氨基、烯、炔、芳烷基、杂烷基、芳基或杂芳基；Z₁-Z₃为单键或C(R¹²)₂、O或S。

10.根据权利要求6和8中任何一个所述的高聚物，其特征在于，Ar含有如下结构单元中的至少一种：

其中n2为1、2、3或4。

11.根据权利要求1-2中任何一个所述的高聚物，其中，所述E1基团包含有如下结构式的结构单元中的至少一种：

12.根据权利要求1-2中任何一个所述的高聚物，其中，所述E2基团包含有如下结构式的结构单元中的至少一种：