[发明专利]含氮稠杂环的化合物及其应用有效

专利信息
申请号: 201780059571.4 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN109843837B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 何锐锋;潘君友 申请(专利权)人: 广州华睿光电材料有限公司
主分类号: C07D495/14 分类号: C07D495/14
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 向薇;郑小粤
地址: 510663 广东省广州市高新技术产业开*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 含氮稠杂环 化合物 及其 应用
【说明书】:

发明涉及一种含氮稠杂环的化合物及其应用。该化合物具有如下结构式:上述化合物能够制备具有较高稳定性和较长寿命的器件。

技术领域

本发明涉及电子领域,特别是涉及一种含氮稠杂环的化合物及其应用。

背景技术

有机半导体材料为电导率介于有机绝缘体和有机导体之间的一类材料,具有结构多样性、制造成本相对较低及光电性能优越等特点,在光电器件方面的应用潜力巨大,特别地,在有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)的应用潜力巨大。

为了提高有机发光二极管的发光性能及推进有机发光二极管的产业化进程,各种有机光电性能材料体系已被广泛地开发。目前,许多有机导体材料的稳定性和光电性能较差,进而导致有机发光二极管的稳定性较差且寿命短。一些研究为了提高有机发光二极管的稳定性及延长有机发光二极管的寿命,将包括含氮稠杂环的材料作为OLED的核心材料,但由于含氮稠杂环的平面性的结构,导致包括含氮稠杂环的核心材料的溶解度及成膜性能较差,进而使得有机发光二极管的稳定性仍然较差且寿命较短。

发明内容

基于此,有必提供一种能够制备具有较高稳定性和较长寿命的器件的含氮稠杂环的化合物及其应用。

一种含氮稠杂环的化合物,具有如下结构式:

其中,为环原子数为5~30的芳香环基或环原子数为5~30芳杂环基;

-X1-、-X2-、-X3-分别独立选自单键、-N(M1)-、-C(M1)2-、-Si(M1)2-、-O-、-C=N(M1)-、-C=C(M1)2-、-P(M1)-、-P(=O)M1-、-S-、-S=O-及-SO2-中的一种,且-X2-、-X3-不同时为单键,其中,M1为H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为3~30的环烷基、环原子数为5~60的芳香环基或环原子数为5~60的芳杂环基;

-Z-选自单键、-N(M2)-、-B(M2)-、-C(M2)2-、-Si(M2)2-、-O-、-S-、-C=N(M2)-、-C=C(M2)2-、-P(M2)-、-P(=O)M2-、-S=O及-SO2-中的一种,其中,M2为H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为3~30的环烷基、环原子数为5~60的芳香环基或环原子数为5~60的芳杂环基;

R选自H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为3~30的环烷基、环原子数为5~60的芳香环基及环原子数为5~60的芳杂环基中的一种;

m,n,o,p及q分别独立选自0~4中的整数,r选自0~3中的整数;及

E为含杂原子的缺电子基团。

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