[发明专利]具有后台参考定位和局部参考定位的方法和装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器控制器，包括：

状态电路，其被配置成确定非易失性存储器器件的使用特性；以及

后台参考定位电路，所述后台参考定位电路耦合到所述状态电路并被配置成：在关闭块处发生耐久性事件、保留定时器事件和读取干扰事件中的一个或多个事件之际，通过向所述非易失性存储器器件发送阈值电压移位读取指令来执行对所述关闭块的每个页面群的代表性页面的后台读取，所述阈值电压移位读取指令代表与读取所述关闭块的每个页面群的代表性页面所需要的每个阈值电压的偏移，以标识用于所述关闭块的每个页面群的经更新阈值电压偏移值集合；

读取电路，所述读取电路耦合到所述状态电路和所述后台参考定位电路并且被配置成：确定所述使用特性是否满足使用特性阈值，并且当所述使用特性被确定为满足所述使用特性阈值时，所述读取电路被配置成：通过向所述非易失性存储器器件发送阈值电压移位读取指令来执行所有后续主机请求的对所述关闭块的页面的读取，所述阈值电压移位读取指令使用与正被读取的页面的页面群相对应的经更新阈值电压偏移值集合；

其中，所述状态电路能操作用于确定对所述非易失性存储器器件的每个关闭块的读取次数，并且所述后台参考定位电路被配置成：每次所述读取次数达到读取干扰阈值时确定读取干扰事件已发生；并且

其中，所述状态电路能操作用于确定所述非易失性存储器器件的每个关闭块的关闭块保留时间，并且其中，所述后台参考定位电路被配置成：当所述关闭块保留时间达到阈值保留时间时确定保留定时器事件已发生。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器控制器，其特征在于，进一步包括存储器存储装置，所述存储器存储装置被配置成存储后台参考定位表，所述后台参考定位表包括所标识的经更新阈值电压偏移值集合中的每一者以及对应的索引值，并且其中，所述读取电路被配置成：通过使用与正被读取的页面的页面群相对应的索引值对所述后台参考定位表编索引来标识要在所述后续主机请求的读取中使用的阈值电压偏移值。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器控制器，其特征在于，进一步包括存储器存储装置，所述存储器存储装置被配置成存储多个局部参考定位校正值，所述非易失性存储器控制器进一步包括：

局部参考定位电路，所述局部参考定位电路耦合到所述读取电路并且能操作用于将所述局部参考定位校正值中的一者加到与正被读取的页面的页面群相对应的经更新阈值电压偏移值集合中的每个阈值电压偏移值，以获取第一局部参考定位偏移值集合；并且

其中，所述读取电路在第一次解码失败之际能操作用于使用所述第一局部参考定位偏移值集合来读取失败页面。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器控制器，其特征在于，所述局部参考定位校正值包括耐久性校正值、保留定时校正值和读取干扰校正值，并且其中，所述局部参考定位电路能操作用于将所述局部参考定位校正值中的一者加到与正被读取的页面的页面群相对应的经更新阈值电压偏移值集合中的每个阈值电压，以获取所述第一局部参考定位阈值电压偏移值集合，并且进一步其中，所述局部参考定位电路能操作用于将所述耐久性校正值、所述保留定时校正值和所述读取干扰校正值中的不同一者加到与正被读取的页面的页面群相对应的经更新阈值电压偏移值集合中的每个偏移值，以获取第二局部参考定位阈值电压偏移值集合，并且进一步其中，所述读取电路在第二次解码失败之际能操作用于使用所述第二局部参考定位偏移值集合来读取失败页面。

5.如权利要求2所述的非易失性存储器控制器，其特征在于，所述使用特性包括编程和擦除循环数目。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器控制器，其特征在于，所述非易失性存储器器件的块被编群为多个块群，并且其中，每个块群内的页面被编群为多个页面群。

7.如权利要求2所述的非易失性存储器控制器，其特征在于，所述状态电路能操作用于确定所述非易失性存储器器件的每个块的编程和擦除循环数目，并且其中，所述后台参考定位电路被配置成：每次关闭块的所确定编程和擦除循环数目达到编程和擦除循环的阈值数目时，确定耐久性事件已发生。