[发明专利]有机电场发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780060065.7 申请日: 2017-07-27
公开(公告)号: CN109791997B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 小川淳也;多田匡志;池永裕士 申请(专利权)人: 日铁化学材料株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C09K11/06;H05B33/10;C07D209/86;C07D487/04
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 彭雪瑞;臧建明
地址: 日本东京千代*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 电场 发光 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电场发光元件,其为在相对向的阳极与阴极之间包含一个以上的发光层的有机电场发光元件,其特征在于:至少一个发光层为通过真空蒸镀而形成,且含有选自下述通式(1)所表示的化合物中的第1主体、选自下述通式(2)所表示的化合物中的第2主体及发光性掺杂剂材料,其中第1主体与第2主体的电子亲和力的差为超过0.1eV、未满0.6eV,

此处,环A为式(1a)所表示的芳香族烃环,环B为式(1b)所表示的杂环,环A及环B分别与所邻接的环在任意位置缩合,

Ar1为苯基、联苯基或三联苯基,

R独立地为碳数1~10的脂肪族烃基、碳数6~10的芳香族烃基或碳数3~12的芳香族杂环基,

a、b、c各自独立地表示0~3的整数,

m+n为1、2或3的整数;

此处,Ar2与Ar3表示碳数6~14的芳香族烃基或2个碳数6~14的芳香族烃基连结而成的基,进行连结时的芳香族烃基可相同,也可不同;L1表示直接键结或包含式(2a)~式(2c)的任一者的亚苯基,L2表示式(2c)所表示的亚苯基。

2.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其中在通式(2)中,Ar3为苯基。

3.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其中通式(2)所表示的化合物为下述通式(4)所表示的化合物,

此处,Ar2、L1与通式(2)的Ar2、L1同义。

4.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其中相对于第1主体与第2主体的合计,第1主体的比例为超过20重量%、未满55重量%。

5.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其中发光性掺杂剂材料为包含选自由钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金所组成的群组中的至少一种金属的有机金属络合物。

6.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其中发光性掺杂剂材料为热活化延迟荧光发光掺杂剂材料。

7.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其中与发光层邻接而具有空穴阻挡层,在所述空穴阻挡层中含有通式(1)所表示的化合物。

8.一种有机电场发光元件的制造方法,其制造如权利要求1所述的有机电场发光元件,所述有机电场发光元件的制造方法包括如下工序:将第1主体与第2主体混合而制成预混合物后,将包含所述预混合物的主体材料加以蒸镀而形成发光层。

9.根据权利要求8所述的有机电场发光元件的制造方法,其中第1主体的50%重量减少温度与第2主体的50%重量减少温度的差为20℃以内。

10.一种有机电场发光元件,其为在相对向的阳极与阴极之间包含一个以上的发光层的有机电场发光元件,其特征在于:至少一个发光层为通过真空蒸镀而形成,且含有选自下述通式(1)所表示的化合物中的第1主体、选自下述通式(2)所表示的化合物中的第2主体及发光性掺杂剂材料,其中与发光层邻接而具有空穴阻挡层,在所述空穴阻挡层中含有通式(1)所表示的化合物,

此处,环A为式(1a)所表示的芳香族烃环,环B为式(1b)所表示的杂环,环A及环B分别与所邻接的环在任意位置缩合,

Ar1为苯基、联苯基或三联苯基,

R独立地为碳数1~10的脂肪族烃基、碳数6~10的芳香族烃基或碳数3~12的芳香族杂环基,

a、b、c各自独立地表示0~3的整数,

m+n为1、2或3的整数;

此处,Ar2与Ar3表示碳数6~14的芳香族烃基或2个碳数6~14的芳香族烃基连结而成的基,进行连结时的芳香族烃基可相同,也可不同;L1表示直接键结或包含式(2a)~式(2c)的任一者的亚苯基,L2表示式(2c)所表示的亚苯基。

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