[发明专利]压力传感器装置和用于制造压力传感器装置的方法

权利要求书

1.一种压力传感器装置(10)，包括：

-衬底主体(11)，

-压力传感器(12)，其包括膜(13)，和

-盖体(14)，其包括至少一个开口(15)，其中：

-所述压力传感器(12)沿垂直方向(z)布置在所述衬底主体(11)和所述盖体(14)之间，所述垂直方向(z)垂直于所述衬底主体(11)的主延伸平面，并且

-所述衬底主体(11)的质量至少为所述盖体(14)的质量的80％，至多为所述盖体(14)的质量的120％。

2.根据权利要求1所述的压力传感器装置(10)，其中，所述衬底主体(11)的质量至少为所述盖体(14)的质量的95％，至多为所述盖体(14)的质量的105％。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器装置(10)，其中，所述压力传感器(12)包括电容式压力传感器，所述电容式压力传感器包括位于所述膜(13)下方的腔(16)。

4.根据权利要求1或2所述的压力传感器装置(10)，其中所述衬底主体(11)包括至少一个垂直的导电通孔(17)，和/或其中，所述压力传感器装置(10)是能够表面安装的。

5.根据权利要求1或2所述的压力传感器装置(10)，其中，所述压力传感器(12)定位在集成电路(21)之上。

6.根据权利要求1或2所述的压力传感器装置(10)，其中，顶层(20)在所述压力传感器(12)的朝向所述盖体(14)的一侧覆盖所述压力传感器(12)，并且所述顶层(20)和所述盖体(14)通过直接接合连接。

7.根据权利要求6所述的压力传感器装置(10)，其中，所述顶层(20)包括至少一个导电壁(29)，所述导电壁(29)

-布置在所述压力传感器(12)之上，

-围绕所述开口(15)，并且

-与所述压力传感器(12)和所述盖体(14)直接接触。

8.根据权利要求1或2所述的压力传感器装置(10)，其中，所述盖体(14)中的开口(15)在垂直方向(z)上定位在所述压力传感器(12)的上方，并且在所述压力传感器(12)的整个横向延伸上延伸。

9.根据权利要求1或2所述的压力传感器装置(10)，其中，所述盖体(14)中的开口(15)在垂直方向(z)上定位在所述压力传感器(12)的上方，并且所述开口(15)的横向延伸小于所述压力传感器(12)的横向延伸。

10.一种用于制造压力传感器装置(10)的方法，所述方法包括：

-在衬底主体(11)上设置压力传感器(12)，所述压力传感器(12)包括膜(13)，

-在所述压力传感器(12)和所述衬底主体(11)之上沉积顶层(20)，

-将盖体(14)与所述顶层(20)连接，所述衬底主体(11)的质量至少为所述盖体(14)的质量的80％，至多为所述盖体(14)的质量的120％，并且

-在所述盖体(14)中形成至少一个开口(15)。

11.根据权利要求10所述的用于制造压力传感器装置(10)的方法，其中，所述衬底主体(11)的质量至少为所述盖体(14)的质量的95％，至多为所述盖体(14)的质量的105％。

12.根据权利要求10或11所述的用于制造压力传感器装置(10)的方法，其中，

-在所述衬底主体(11)的背离所述盖体(14)的一侧，通过能够被移除的粘附材料(37)将处理晶片(36)连接到所述衬底主体(11)，并且

-移除所述处理晶片(36)和所述粘附材料(37)。