[发明专利]使用堆叠引线框架的3D芯片组件有效

专利信息
申请号: 201780060273.7 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN109791925B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: C·A·鲁尼恩;F·R·本 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H10B80/00;H01L25/065;H01L23/00;H01L23/498
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 堆叠 引线 框架 芯片 组件
【权利要求书】:

1.一种集成电路(IC)芯片组件,包括:

包括至少第一IC芯片和第二IC芯片的IC芯片堆叠体;以及

包括至少第一引线和第二引线的引线堆叠体,所述第一引线电耦接到至少所述第一IC芯片并且在所述芯片堆叠体的周边处结合到所述第二引线,所述第二引线电耦接到至少所述第二IC芯片。

2.根据权利要求1所述的IC芯片组件,其中:

所述第一引线包括结合到所述第一芯片的第一金属特征件的第一部分;

所述第二引线包括结合到所述第二芯片的第一金属特征件的第一部分;并且

所述第一引线和所述第二引线包括结合在一起的第二部分。

3.根据权利要求1所述的IC芯片组件,其中:

所述引线堆叠体包括基础引线和设置于所述基础引线上方的管芯附着引线;

所述第一芯片设置于所述基础引线和所述管芯附着引线之间;

所述第二引线设置于所述管芯附着引线上方;并且

第一管芯附着引线在所述芯片堆叠体的周边处结合到第一基础引线。

4.根据权利要求3所述的IC芯片组件,其中,所述第一管芯附着引线结合到所述第一芯片或所述第二芯片的金属特征件。

5.根据权利要求3所述的IC芯片组件,其中:

所述管芯附着引线还包括第一管芯附着引线和第二管芯附着引线;

所述第一芯片设置于所述基础引线和所述第一管芯附着引线之间;

所述第二芯片设置于所述第一管芯附着引线和所述第二管芯附着引线之间;

所述第一管芯附着引线的一部分结合到所述基础引线;并且

所述第二管芯附着引线的一部分结合到所述第一管芯附着引线的所结合的部分。

6.根据权利要求5所述的IC芯片组件,其中:

所述第一管芯附着引线的一部分结合到所述第一芯片的金属特征件;并且

所述第二管芯附着引线的一部分结合到所述第二芯片的金属特征件。

7.根据权利要求1所述的IC芯片组件,还包括设置于所述第一IC芯片和所述第二IC芯片之间的金属桨状物,所述桨状物与所述引线中的至少一个电隔离。

8.根据权利要求1所述的IC芯片组件,还包括设置于所述第一IC芯片和所述第二IC芯片之间的金属桨状物,所述桨状物将所述芯片中的每一个电耦接到公共参考电压轨。

9.根据权利要求1所述的IC芯片组件,还包括设置于所述引线中的至少一个与所述第一IC芯片或所述第二IC芯片之间的管芯附着膏或管芯附着膜。

10.根据权利要求1所述的IC芯片组件,还包括设置于所述第一引线和所述第二引线的未结合部分之间的模制化合物。

11.一种集成电路(IC)平台,包括:

包括多个信号焊盘的衬底;以及

根据权利要求1-10中的任一项所述的IC芯片组件,其中,所述第一引线电耦接到所述信号焊盘之一。

12.根据权利要求11所述的IC平台,其中:

所述衬底还包括接地焊盘;并且

所述IC芯片组件还包括设置于所述第一IC芯片和所述衬底之间的金属桨状物,所述金属桨状物与所述第一引线电隔离并且电耦接到所述接地焊盘。

13.根据权利要求12所述的IC平台,其中,所述IC芯片包括多个NAND闪存存储器芯片。

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