[发明专利]防止基于ReRAM的存储单元的过度编程

权利要求书

1.一种防止电阻随机存取(ReRAM)的存储器阵列中的ReRAM存储器单元的过度编程的方法，包括：

在包括待编程的ReRAM存储器单元的编程电路路径中施加编程电压；

在所述编程电压施加于所述ReRAM存储器单元上时，通过感测所述存储器阵列中的位线中的电压降来感测由所述ReRAM存储器单元消耗的编程电流，所述位线处于所述编程电路路径中；以及

通过将所述编程电路路径中的至少一个MOS晶体管的栅极驱动电压减小一定量来增加所述编程电路路径中的电路元件的电阻，所述量是所述电压降的函数。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述至少一个MOS晶体管的栅极驱动电压减小等于整数个MOS晶体管电压阈值下降的电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中MOS晶体管电压阈值下降加上一的总数小于所述编程电压。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在提供所述栅极驱动的电路中提供缓冲器，所述缓冲器具有缓冲跳闸点，所述缓冲跳闸点被选择用于在栅极驱动电压下终止对所述编程电路路径中的所述至少一个MOS晶体管的栅极驱动，所述栅极驱动电压是预定水平的编程电流的函数。

5.一种防止电阻随机存取(ReRAM)的存储器阵列中的ReRAM存储器单元的过度编程的电路，包括：

编程电路路径，所述编程电路路径用于将编程电压施加到待编程的ReRAM存储器单元；

所述存储器阵列中的位线，编程电流通过所述位线流动，所述位线具有位线电阻，在所述编程电压施加于所述存储器单元上时，所述位线感测由所述ReRAM存储器单元消耗的编程电流；和

设置在所述编程电路路径中的至少一个MOS晶体管，所述至少一个MOS晶体管具有在位置处耦合到所述位线的栅极，以使栅极电压施加到所述至少一个MOS晶体管，所述栅极电压根据流过所述位线的增加的电流而减小。

6.根据权利要求5所述的电路，还包括多个二极管连接的MOS晶体管，所述MOS晶体管串联耦合到所述至少一个MOS晶体管的所述栅极。

7.根据权利要求6所述的电路，其中每个所述二极管连接的MOS晶体管具有MOS晶体管电压阈值下降，并且所述多个二极管连接的MOS晶体管电压降加上一个MOS晶体管电压阈值下降的总电压降小于所述编程电压。

8.根据权利要求5所述的电路，还包括与所述至少一个MOS晶体管的所述栅极串联耦合的缓冲器，所述缓冲器具有缓冲跳闸点，所述缓冲器跳闸点被选择用于在栅极驱动电压下终止对所述编程电路路径中的所述至少一个MOS晶体管的栅极驱动，所述栅极驱动电压是预定水平的编程电流的函数。