[发明专利]含有半导体纳米粒子的分散液及薄膜

权利要求书

1.一种含有半导体纳米粒子的分散液，其含有通过X射线光电子能谱分析检测出锌、硫及铟的半导体纳米粒子及丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，所述半导体纳米粒子为核壳粒子，

所述半导体纳米粒子中，从X射线光电子能谱分析求出的、锌与铟的摩尔比满足下述式(1a)：

2.25＜Zn/In＜9……(1a)

所述半导体纳米粒子中，从X射线光电子能谱分析求出的、硫与铟的摩尔比满足下述式(2a)：

1.25＜S/In＜10.6……(2a)。

2.根据权利要求1所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

在由X射线小角度散射引起的散射强度中，q值＝0.2nm^-1的切线的斜率为-3～0。

3.根据权利要求1或2所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述半导体纳米粒子中，从X射线光电子能谱分析求出的、锌与铟的摩尔比满足下述式(1b)，硫与铟的摩尔比满足下述式(2b)，

在由X射线小角度散射引起的散射强度中，q值＝0.2nm^-1的切线的斜率为-2～0，

2.4＜Zn/In≤7.9……(1b)；

3.4＜S/In≤7.5……(2b)。

4.根据权利要求1或2所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述半导体纳米粒子的平均粒径为6nm以下。

5.根据权利要求4所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述半导体纳米粒子的平均粒径为3nm以上且5nm以下。

6.根据权利要求1或2所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述半导体纳米粒子具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖所述核表面的至少一部分的第1壳及覆盖所述第1壳的至少一部分的第2壳。

7.根据权利要求6所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述核中所含的所述III族元素为In，所述核中所含的所述V族元素为P、N及As中的任意种。

8.根据权利要求7所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述核中所含的所述III族元素为In，所述核中所含的所述V族元素为P。

9.根据权利要求6所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述核还含有II族元素。

10.根据权利要求9所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述核中所含的所述II族元素为Zn。

11.根据权利要求6所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述第1壳包含II族元素或III族元素，

其中，所述第1壳包含III族元素的情况下，所述第1壳中所含的III族元素为与所述核中所含的III族元素不同的III族元素。

12.根据权利要求6所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述第1壳为含有II族元素及V[族元素的II-VI族半导体或含有[II族元素及V族元素的III-V族半导体，

其中，所述第1壳为所述III-V族半导体的情况下，所述III-V族半导体中所含的III族元素为与所述核中所含的III族元素不同的III族元素。

13.根据权利要求12所述的含有半导体纳米粒子的分散液，其中，

所述第1壳为所述II-VI族半导体的情况下，所述II族元素为Zn，所述VI族元素为Se或S，

所述第1壳为所述III-V族半导体的情况下，所述III族元素为Ga，所述V族元素为P。