[发明专利]硫代(二)硅烷有效
申请号: | 201780060866.3 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN110036138B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | N·M·章;B·K·黄;B·D·瑞肯;V·A·莎玛米安;王湘淮;X·周 | 申请(专利权)人: | 美国陶氏有机硅公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C07F7/08;C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭辉;陈哲锋 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 | ||
1.一种式(I)的硫代二硅烷在化学气相沉积工艺中的用途,其用作化学气相沉积工艺中的前体:
(R1aR1bR1cCS)s(R22N)n(Si-Si)XxHh (I);
其中:
下标s为1至6的整数;
下标n为0至5的整数;
下标x为0至5的整数;
下标h为0至5的整数;
前提条件是,总和s+n+x+h=6;
当存在于式(I)中时、即当下标h为1至5时,每个H独立地键合到式(I)中的硅原子中的相同硅原子或不同硅原子;
当存在于式(I)中时、即当下标x为1至5时,每个X为一价卤素原子F、Cl、I或Br,并且独立地键合到式(I)中的硅原子中的相同硅原子或不同硅原子;
其中R1a、R1b和R1c由限制条件(a)、(b)或(c)定义:
(a)至少一个R1a独立地为(C1-C20)烷基或苯基,并且任何其余的R1a、R1b和R1c中的每个独立地为H或(C1-C20)烃基;或者
(b)至少一个R1aR1bR1cC基团为未取代或被取代基SUB取代的(C6-C20)芳基,并且当下标s为2时,剩余的R1aR1bR1cC基团是被取代基SUB取代的(C6-C20)芳基,或者剩余的R1aR1bR1cC基团的R1a、R1b和R1c独立地是(C1-C20)烷基;或者
(c)在相同的或不同的R1aR1bR1cC基团中,将R1a、R1b和R1c统称为R1基团并将其中的任意两者键合在一起以形成二价基团,-R11-,其中-R11-为(C3-C20)亚烷基,并且任何其余的R1a、R1b和R1c中的每个独立地为H或(C1-C20)烷基;
每个R2基团独立地为H或(C1-C20)羟基;或者任意两个R2基团可以键合在一起以形成二价基团,-R22-,其中-R22-为(C2-C20)亚烃基,并且任何其余的R2基团中的每个独立地为H或(C1-C20)羟基;
每个烃基和亚烃基独立地为未取代的或者被1至5个取代基SUB取代;并且
每个SUB独立地为未取代的(C1-C6)烷基、未取代的(C3-C6)环烷基、未取代的(C2-C6)烯基、未取代的(C2-C6)炔基、未取代的(C6-C7)芳基、氟、氯或溴。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的