[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201780060901.1 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109791950A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 远藤佑太;泽井宽美;木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/417;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体装置 漏电极 源电极 栅极绝缘膜 电连接 个数比 栅电极 相等 近似 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一氧化物；
源电极；
漏电极；
所述第一氧化物、所述源电极及所述漏电极上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的栅极绝缘膜；以及
所述栅极绝缘膜上的栅电极，
其中，所述源电极与所述第一氧化物电连接，
所述漏电极与所述第一氧化物电连接，
所述第一氧化物和所述第二氧化物各自包含In、元素M及Zn，
所述元素M是Al、Ga、Y或Sn，
所述第一氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子个数比和所述第二氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子个数比相等或近似，
并且，在所述第一氧化物及所述第二氧化物的每一个中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物的电子亲和势和所述第二氧化物的电子亲和势的差异为0eV以上且0.15eV以下。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二氧化物与所述源电极电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述第二氧化物和所述栅极绝缘膜之间的第三氧化物，
其中所述第三氧化物包含In、所述元素M及Zn，
并且在所述第三氧化物中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物的电子亲和势和所述第二氧化物的电子亲和势的差异为0eV以上且0.15eV以下，
所述第三氧化物的电子亲和势小于所述第二氧化物的所述电子亲和势，
并且所述第三氧化物的所述电子亲和势和所述第二氧化物的所述电子亲和势的差异为0.2eV以上且0.4eV以下。
6.一种模块，包括：
权利要求1所述的半导体装置；以及
印刷电路板。
7.一种电子设备，包括：
权利要求6所述的模块；以及
扬声器或操作键。
8.一种半导体晶片，包括：
权利要求1所述的半导体装置；以及
切割用区域。
9.一种半导体装置，包括：
第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
源电极；
漏电极；
所述第二氧化物、所述源电极及所述漏电极上的第三氧化物；
所述第三氧化物上的栅极绝缘膜；以及
所述栅极绝缘膜上的栅电极，
其中，所述源电极与所述第二氧化物电连接，
所述漏电极与所述第二氧化物电连接，
所述第一氧化物、所述第二氧化物和所述第三氧化物各自包含In、元素M及Zn，
所述元素M是Al、Ga、Y或Sn，
所述第二氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子个数比和所述第三氧化物的所述In、所述Zn及所述元素M的原子个数比相等或近似，
并且，在所述第二氧化物及所述第三氧化物的每一个中，所述In的原子比例比所述元素M的原子比例高。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
其中所述第二氧化物的电子亲和势和所述第三氧化物的电子亲和势的差异为0eV以上且0.15eV以下。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，
其中所述第三氧化物与所述源电极电连接。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：
所述第三氧化物和所述栅极绝缘膜之间的第四氧化物；
其中所述第四氧化物包含In、所述元素M及Zn，
并且在所述第四氧化物中，所述元素M的原子比例比所述In的原子比例高。
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