[发明专利]用于图案反转的被覆组合物

权利要求书

1.用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含对于水解性硅烷的水解缩合物，使该缩合物所具有的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷以50摩尔％～100摩尔％的比例存在的水解性硅烷，

所述分子内具有4个水解性基的水解性硅烷以50摩尔％～100摩尔％的比例存在的水解性硅烷是式(1)所示的水解性硅烷，

R¹_aSi(R²)_4-a 式(1)

式(1)中，R¹是烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，并且通过Si-C键与硅原子结合，R²表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，a表示0～3的整数，

并且式(1)所示的水解性硅烷以50摩尔％～100摩尔％的比例包含a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1或2的水解性硅烷。

2.根据权利要求1所述的被覆组合物，所述式(1)所示的水解性硅烷包含：

式(1)中a为0的四烷氧基硅烷、

式(1)中a为1的甲基三烷氧基硅烷、乙烯基三烷氧基硅烷或苯基三烷氧基硅烷、以及

式(1)中a为2的二甲基二烷氧基硅烷

中的任一者。

3.根据权利要求1所述的被覆组合物，醇是含有烷氧基的醇。

4.根据权利要求1所述的被覆组合物，醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。

5.根据权利要求1所述的被覆组合物，所述水解性硅烷的缩合物是以酸或碱作为催化剂而得的水解缩合物。

6.根据权利要求1所述的被覆组合物，所述被覆组合物进一步包含选自酸和固化催化剂中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的被覆组合物，所述被覆组合物用于被覆在图案化后的有机下层膜上，该图案化后的有机下层膜是通过抗蚀剂图案对硅硬掩模层进行蚀刻，然后通过图案化后的硅硬掩模层对有机下层膜进行蚀刻，从而形成的。

8.半导体装置的制造方法，包括：

在半导体基板上形成有机下层膜的工序(1)，

在所述有机下层膜上涂布硅硬掩模形成用组合物并进行烧成而形成硅硬掩模层的工序(2)，

在所述硅硬掩模层上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂层的工序(3)，

对所述抗蚀剂层进行曝光，曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，

通过抗蚀剂图案对硅硬掩模层进行蚀刻的工序(5)，

通过图案化后的硅硬掩模层对有机下层膜进行蚀刻而形成图案化后的有机下层膜的工序(6)，

在图案化后的有机下层膜上涂布权利要求1～7的任一项所述的被覆组合物，接着使其固化，形成填埋图案间隙的聚硅氧烷膜的工序(7)，

对有机下层膜进行蚀刻而将图案反转的工序(8)，以及

通过反转后的图案的聚硅氧烷膜对基板进行蚀刻加工的工序(9)。