[发明专利]甚高电容的膜电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种甚高电容的膜电容器(1)，其包括由至少一个介电膜(100a，...，100i)构成的介电层(100)，所述介电层(100)的每个介电膜(100a，...，100i)具有以下参数：

-相对介电常数[ε_fⁱ]，使得ε_fⁱ≥10，

-厚度[e_fⁱ]，使得0.05μm≤e_fⁱ≤50μm，

-介电强度[E_fⁱ]，使得E_fⁱ≥50V/μm，

在参数中“f”表示“膜”且i≥1，“i”表示所述介电层(100)的“第i”个介电膜(100i)，

所述介电层(100)将第一电子电荷载流子结构(200)与第二电子电荷载流子结构(300)分开，这两种结构具有由所述介电层(100)分开的相对表面(S)，

其特征在于：

A、在所述介电层(100)和所述第一结构(200)之间的界面满足以下要求：

-所述第一结构(200)与所述介电层(100)直接接触的相对表面(S)的部分大于90％，

-在所述介电层(100)不与所述第一结构(200)直接接触的界面的所有区域中，它们局部地被N(其中N≥1)个厚度的“寄生介电质”(400)分开，每个厚度具有相对介电常数[ε_p^j]和介电强度[E_p^j]，其满足以下关系：

ε_p^jE_p^j≥Min(ε_fⁱE_fⁱ)

其中“p”表示“寄生介电质的厚度”，并且“j”表示“第j”个厚度，其中1≤j≤N，

B、在所述介电层(100)和所述第二结构(300)之间的界面满足以下要求：

-所述第二结构(300)与所述介电层(100)直接接触的相对表面(S)的部分大于90％，

-在所述介电层(100)不与所述第二结构(300)直接接触的界面的所有区域中，它们局部地被M(其中M≥1)个厚度的“寄生介电质”(500)分开，每个厚度具有相对介电常数[ε_p^k]和介电强度[E_p^k]，其满足以下关系：

ε_p^kE_p^k≥Min(ε_fⁱE_fⁱ)

其中“p”表示“寄生介电质的厚度”，并且“k”表示“第k”个厚度，其中1≤k≤M，

具有以下附加条件：

C、当所述介电层(100)由多于一个介电膜(100i)构成时，则两个介电膜(100i)之间的任何界面Σ满足以下条件：

-所述两个介电膜(100i)直接接触的相对表面(S)的部分大于90％，

-在所述两个介电膜(100i)不直接接触的界面Σ的所有区域中，这些膜局部地被P_Σ(其中P_Σ≥1)个厚度的“寄生介电质”(600)分开，每个厚度具有相对介电常数[ε_p^l]和介电强度[E_p^l]，其满足以下关系：

ε_p^lE_p^l≥Min(ε_fⁱE_fⁱ)

其中“p”表示“寄生介电质的厚度”，并且“l”表示“第l”个厚度，其中1≤l≤P_∑，所述介电层由除纯粹的矿物材料以外的聚合物材料制成或基于除纯粹的矿物材料以外的聚合物材料。

2.根据权利要求1所述的膜电容器，其特征在于，所述介电层(100)不是自支撑的。