[发明专利]改变开关半桥的开关状态的方法及开关装置和变流器

权利要求书

1.一种用于将开关半桥(1)的开关状态从第一开关状态改变至第二开关状态的方法，所述开关半桥具有两个场效应晶体管，在所述第一开关状态中，第一场效应晶体管(5)的栅极-源极电压(U_GS1)处于接通能级(U_on)并且第二场效应晶体管(7)的栅极-源极电压(U_GS2)处于第一关断能级(U_off1)；在所述第二开关状态中，所述第一场效应晶体管(5)的栅极-源极电压(U_GS1)处于所述第一关断能级(U_off1)并且所述第二场效应晶体管(7)的栅极-源极电压(U_GS2)处于所述接通能级(U_on)，其中

-所述第一场效应晶体管(5)的栅极-源极电压(U_GS1)首先从所述接通能级(U_on)改变到第二关断能级(U_off2)，所述第二关断能级的绝对值大于所述第一关断能级(U_off1)的绝对值，

-随后，所述第二场效应晶体管(7)的栅极-源极电压(U_GS2)从所述第一关断能级(U_off1)改变到所述接通能级(U_on)，

-并且此后，所述第一场效应晶体管(5)的栅极-源极电压(U_GS1)从所述第二关断能级(U_off2)改变到所述第一关断能级(U_off1)，

-其中，将具有两个彼此并联的电路支路的附加电路(17)连接在所述第一场效应晶体管(5)的栅极端子(G1)与栅极驱动器之间，其中第一电路支路具有阻尼电阻(25)和与所述阻尼电阻串联的电感(27)，并且第二电路支路具有串联电阻(23)和辅助开关(29)，并且在所述第一场效应晶体管(5)的控制电压(U_C1)随着所述辅助开关(29)的断开而从所述接通能级(U_on)改变到所述第一关断能级(U_off1)时，所述电感(27)和所述阻尼电阻(25)使得所述第一场效应晶体管(5)的栅极-源极电压(U_GS1)暂时改变到所述第二关断能级(U_off2)，

-并且为了将所述第一场效应晶体管(5)的栅极-源极电压(U_GS1)从所述接通能级(U_on)改变到所述第二关断能级(U_off2)，将所述第一场效应晶体管(5)的所述控制电压(U_C1)随着所述辅助开关(29)的断开而从所述接通能级(U_on)改变到所述第一关断能级(U_off1)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，预设有持续时间(T)，并且在一时间点(t₂)将所述第二场效应晶体管(7)的栅极-源极电压(U_GS2)从所述第一关断能级(U_off1)改变到所述接通能级(U_on)，所述时间点以一时间间隔晚于所述第一场效应晶体管(5)的所述控制电压(U_C1)从所述接通能级(U_on)到所述第一关断能级(U_off1)的改变，所述时间间隔由所述持续时间(T)来限定。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，每个场效应晶体管均具有宽带隙的半导体作为基础材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基础材料是碳化硅。