[发明专利]具有用于改善负载能力的覆层的无源电器件

权利要求书

1.一种具有中间层的无源电器件、尤其线圈，其中，所述中间层具有比所述电器件的以所述中间层覆盖的表面更小的热膨胀系数，并且在所述中间层上设置有含碳的等离子体聚合的覆层，所述覆层具有碳含量，所述碳含量在与所述等离子体聚合的覆层的背向所述中间层的侧相距80nm的深度中测量，其中，所述等离子体聚合的覆层包括50至100原子％、优选地50至90原子％的碳含量或作为金属有机覆层，布置2至50原子％的碳含量，所述碳含量分别借助XPS测量并且以借助XPS检测的原子来计。

2.根据权利要求1所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述中间层选自陶瓷层的组中，所述陶瓷层优选地基于TiO₂、SiO₂、Al₂O₃、Ti_xN_y或BN，更优选地基于阳极氧化层。

3.根据前述权利要求中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述中间层包含交联的和/或未交联的油和/或交联的和/或未交联的硅油和/或在所述中间层与所述等离子体聚合的层之间存在由交联的油或交联的硅油构成的区。

4.根据前述权利要求中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述等离子体聚合的覆层包括硅。

5.根据前述权利要求中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述器件的以所述中间层覆盖的表面由铜、铝或包括铜和/或铝的合金构成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述等离子体聚合的覆层具有

-≥2.5％的裂纹伸展，和/或

-待借助纳米压痕测量的在2GPa至6GPa、优选地3.1GPa至6GPa的范围中的硬度。

7.根据前述权利要求中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述等离子体聚合的覆层包括能够通过借助XPS在与所述等离子体聚合的覆层的背向所述中间层的侧相距80nm的深度中测量所确定的含量，优选地具有：5至40原子％、优选地20至32原子％的硅和/或30至70原子％、优选地40至64原子％的氧，以在所述覆层中包含的碳原子、硅原子和氧原子的总数计。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述等离子体聚合的层具有100nm至100μm、优选地200nm至50μm和进一步优选地500nm至10μm的厚度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述中间层和所述等离子体聚合的层共同具有根据DIN EN 60243-1和DIN EN 60243-2测量的、直至3mA的最大电流所测量的≥100V的击穿强度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述器件在300℃下在500小时中在循环空气炉中在干燥循环空气的情况下时效处理并且接着在一小时内冷却到20℃之后具有时效处理前的击穿强度的至少80％。

11.根据权利要求1至11中任一项所述的具有中间层的无源电器件，其中，所述电器件在所述等离子体聚合的层的区域中在室温下20分钟的持续时间中面对1mol/L的NaOH溶液没有视觉上能够看到的蚀刻侵蚀。

12.如在前述权利要求中任一项中定义的等离子体聚合的覆层的一种应用，用于改善分别地如在前述权利要求中任一项中限定的无源电器件上的中间层的热学的和/或机械的负载能力和/或介质的耐受性，尤其通过阻止连贯的微裂纹的产生来改善。

13.如在权利要求1至11中任一项中所限定的等离子体聚合的覆层的应用，用于修复分别如在权利要求1至11中任一项中所限定的无源电器件上的如在权利要求1至11中任一项中所描述的中间层的绝缘作用。