[发明专利]用于覆晶互连接上的固态扩散接合的具有精细间距的导线的制程与结构

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包含：

一可挠性基板；

复数导线，设于该可挠性基板上，每一该导线包含至少五种不同导电材料，该些导电材料具有不同熔点与不同塑性变形特性，该些导电材料针对被动元件的扩散接合与焊接而最佳化，其中每一该导线的最顶层包含金；以及

至少一晶粒，通过该复数导线的至少其中之一的该扩散接合设于该基板上。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该扩散接合为经由位于该晶粒上的一镀金凸块或一金柱凸块来进行。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，每一该导线的该最顶层包含金，该金的纯度为99.9％，硬度为100HV，厚度为0.03-0.1微米。

4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，最接近该扩散接合的每一该导线的一第二层包含钯，该钯的纯度超过98％，其中有1-2％的磷，该钯的硬度为400-450HV，厚度为0.05-0.4微米。

5.如权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，每一该导线的一第三层包含镍，该镍的纯度超过90％，其中有8-10％的磷，该镍的硬度为500HV，厚度为0.5-5微米。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，每一该导线的一第四层包含铜，该铜的纯度超过99.9％，硬度为100HV，厚度为2-12微米。

7.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该基板上每一该导线的底层包含镍与磷，其厚度为0.09-0.11微米。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该可挠性基板包含至少一金属层与一介电材料，该介电材料包含聚酰亚胺、液晶聚合物、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯或一层压基板，该层压基板包含环氧树脂和双马来酰亚胺三嗪树脂，或聚四氟乙烯或改性聚四氟乙烯。

9.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该半导体封装整合于下列其中之一中：智能手机、平板电脑、笔记本电脑、超高画质电视、台式电脑、游戏系统、电子安装盒、服务器、摩托车、超音波处理机、医疗装置、电脑断层扫描器、通讯装置、固定位置资料单元、可穿戴式电子装置、显示驱动器、互补式金氧半影像感测器、基频处理器、能量管理单元、记忆体、中央处理器、图形处理器、特殊应用集成电路、发光二极管与射频装置。

10.一种用于扩散接合的基板的制作方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一可挠性基板；以及

形成复数导线在该可挠性基板上，且形成该复数导线在该可挠性基板的步骤更包含下列步骤：

电解电镀复数铜导线在该可挠性基板上，该复数铜导线的间距为15-30微米；

无电极电镀一镍磷合金层在该复数铜导线的顶表面与侧表面上；

无电极电镀一钯层在该镍磷合金层上；以及

在该钯层上浸镀一金层，以形成适用于扩散接合的该基板。

11.如权利要求10所述的用于扩散接合的基板的制作方法，其特征在于，该铜导线的纯度超过99.9％，硬度为100HV，厚度为2-12微米，较佳厚度为6微米。

12.如权利要求10所述的用于扩散接合的基板的制作方法，其特征在于，该镍磷合金层利用自催化镍磷溶液来进行无电极电镀，该自催化镍磷溶液的pH值为5.4-6.3，该镍磷合金层的镍具有超过90％的纯度，其中有8-10％的磷，该镍磷合金层的硬度为500HV，厚度为0.5-5微米，较佳厚度为1微米。