[发明专利]选择性的SiN侧向内凹

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包含：

将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内；

在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的等离子体流出物；

将所述等离子体流出物流入所述半导体处理腔室的处理区域内，其中基板被放置在所述处理区域内，并且其中所述基板包含沟槽，所述沟槽被形成穿过堆叠层，所述堆叠层包括交替的氮化硅层和氧化硅层；以及

在实质上维持所述氧化硅层的同时，从所述沟槽的侧壁侧向蚀刻所述氮化硅层，其中所述氮化硅层从所述沟槽的所述侧壁被侧向蚀刻小于10nm。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中含氧前驱物对含氟前驱物的流速比例大于或约为50:1。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述堆栈层包含至少50层交替的氮化硅层和氧化硅层，并且其中所述沟槽表征为大于或约为100:1的深宽比。

4.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在约-100℃与约100℃之间的温度下执行所述侧向蚀刻。

5.如权利要求4所述的蚀刻方法，其中所述温度小于或约为0℃。

6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在小于或为约1托的腔室操作压力下执行所述侧向蚀刻。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述侧向蚀刻包含氧化所述氮化硅的一部分，以产生氟化氧化物。

8.如权利要求7所述的蚀刻方法，其中所述氟化氧化物内的氟扩散通过所述氮化硅的被氧化部分，以侧向蚀刻所述氮化硅。

9.如权利要求7所述的蚀刻方法，其中所述方法进一步包含从所述氮化硅移除所述氟化氧化物。

10.如权利要求9所述的蚀刻方法，其中移除所述氟化氧化物包含用从含氟前驱物和含氢前驱物产生的等离子体流出物蚀刻所述氟化氧化物。

11.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述沟槽的上方区域处的氮化硅层，与所述沟槽的下方区域处的氮化硅层在侧向蚀刻量上相差小于约30％。

12.一种蚀刻方法，包含

将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内；

在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的初级等离子体流出物；

将所述初级等离子体流出物流入所述半导体处理腔室的处理区域内，其中基板被放置在所述处理区域内，并且其中所述基板包含沟槽，所述沟槽被形成为穿过堆叠层，所述堆叠层包括交替的氮化硅层和氧化硅层；

从所述沟槽的侧壁氧化所述氮化硅的一部分，以在每个氮化硅层中产生氟化氧化物区域；

将含氟前驱物流入所述半导体处理腔室的所述远程等离子体区域内，同时生成等离子体，以生成继发等离子体流出物；

将所述继发等离子体流出物流入所述半导体处理腔室的所述处理区域内；以及

从每个氮化硅层侧向蚀刻所述氟化氧化物区域。

13.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中用于产生所述初级等离子体流出物的含氧前驱物对含氟前驱物的流速比例大于或约为60:1。

14.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中所述沟槽的底部至少部分地与所述氮化硅层一起氧化，并且其中所述沟槽的所述底部被蚀刻小于或约5nm。

15.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中在所述蚀刻方法期间，所述半导体处理腔室内的温度小于或约为0℃。