[发明专利]结构物、该结构物的制造方法、半导体元件以及电子电路在审
| 申请号： | 201780062422.3 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109863607A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 霍间勇辉;川岛绘美;长崎义和;关谷隆司;上冈义弘 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L29/872;H01L27/146;H01L31/07;H01L31/10;H01L29/812 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贵金属氧化物层 结构物 金属氧化物半导体层 半导体元件 电子电路 邻接 膜厚 制造 | ||
1.一种结构物，其特征在于，
包含金属氧化物半导体层与贵金属氧化物层，
所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层邻接，
所述贵金属氧化物层的膜厚超过10nm。
2.如权利要求1所述的结构物，其特征在于，具有耗尽区域。
3.如权利要求1或2所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层包含多晶体结构。
4.如权利要求1～3的任一项所述的结构物，其特征在于，在与所述贵金属氧化物层邻接的、与所述金属氧化物半导体层相反的一侧还包含贵金属层。
5.如权利要求4所述的结构物，其特征在于，在与所述贵金属层邻接的、与所述贵金属氧化物层相反的一侧还包含低电阻贱金属层。
6.如权利要求1～5的任一项所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层的贵金属氧化物是从氧化钯、氧化钌、氧化铂、氧化铱、氧化银、氧化铼、氧化锇、氧化铑、氧化镍以及氧化金构成的组中选择的1种以上的贵金属氧化物。
7.如权利要求1～6的任一项所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层的贵金属氧化物是从PdO结构的PdO、金红石结构的RuO2、α-PtO2结构的PtO2、金红石结构的IrO2、Cu2O结构的Ag2O、方钴矿结构的ReO3、金红石结构的OsO2、刚玉结构的Rh2O3、NiO结构的NiO、以及Au2O3结构的Au2O3构成的组中选择的1种以上的贵金属氧化物。
8.如权利要求1～7的任一项所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层的贵金属氧化物的平均晶体粒径为所述贵金属氧化物层的膜厚以下。
9.如权利要求1～8的任一项所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层的界面粗糙度为5nm以下。
10.如权利要求1～9的任一项所述的结构物，其特征在于，所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层之间的肖特基界面的碳浓度为2×1019cm-3以下。
11.如权利要求1～10的任一项所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层的电阻率为1×10-2Ω·cm以下。
12.如权利要求1～11的任一项所述的结构物，其特征在于，所述贵金属氧化物层的贵金属氧化物的功函数为4.8eV以上。
13.如权利要求1～12的任一项所述的结构物，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为无定形或者多晶体。
14.如权利要求1～13的任一项所述的结构物，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的金属氧化物是从In、Sn、Cd、Zn、Ga以及Ge构成的组中选择的一种以上的金属元素的氧化物。
15.如权利要求1～14的任一项所述的结构物，其特征在于，相对于所述金属氧化物半导体层的全部金属元素，所述金属氧化物半导体层中Ga或者In的含有率为45原子％以上。
16.如权利要求1～15的任一项所述的结构物，其特征在于，所述金属氧化物半导体层是随机取向的。
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