[发明专利]用于近场功率传送系统的小型化高效设计有效

专利信息
申请号: 201780062480.6 申请日: 2017-08-14
公开(公告)号: CN109874351B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 阿利斯特·胡斯尼;迈克尔·A·利布曼 申请(专利权)人: 艾诺格思公司
主分类号: H02J5/00 分类号: H02J5/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 尚玲;姚开丽
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 近场 功率 传送 系统 小型化 高效 设计
【权利要求书】:

1.一种近场射频RF功率传送系统,所述近场射频RF功率传送系统包括发射器,所述发射器包括:

第一天线元件,所述第一天线元件被设置在基板的第一表面上或下方并且被配置为在第一时间段期间在第一方向上承载第一电流以产生第一RF辐射;

第二天线元件,所述第二天线元件被设置在所述基板的所述第一表面上或下方,并且被配置为在所述第一时间段期间在与所述第一方向不同且相反的第二方向上承载第二电流以产生第二RF辐射,使得(i)所述第二RF辐射的远场部分基本上抵消所述第一RF辐射的远场部分,以及(ii)所述第二RF辐射的近场部分基本上不抵消所述第一RF辐射的近场部分,其中,所述第一天线元件被定位在所述第二天线元件上方,并且当电子设备在所述发射器的预定靠近度内时,所述第一天线元件和所述第二天线元件产生所述第一RF辐射和所述第二RF辐射,并且其中,所述第二RF辐射的近场部分和所述第一RF辐射的近场部分被发送到所述电子设备,所述电子设备将所述第二RF辐射的近场部分和所述第一RF辐射的近场部分转换为用于为所述电子设备充电的可用电力;

接地平面,所述接地平面被设置在所述基板的第二表面上或下方,其中,所述第二表面与所述第一表面相对;

第一通孔,所述第一通孔通过所述接地平面,其中,所述第一通孔包含被配置为供给所述第一电流的第一功率馈送线;以及

第二通孔,所述第二通孔通过所述接地平面,其中,所述第二通孔与所述第一通孔不同且包含被配置为供给所述第二电流的第二功率馈送线。

2.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件是螺旋天线的段。

3.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件是偶极天线的第一极的段,并且所述第二天线元件是所述偶极天线的第二极的段。

4.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件是环形天线的段。

5.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件是包括同心环的环形天线的段。

6.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件是单极天线的段。

7.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件是包括两个螺旋极的混合偶极天线的段。

8.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件是分级螺旋天线的段。

9.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述接地平面由铜或铜合金的实心金属片构成。

10.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述接地平面由金属条构成,所述金属条以选自由环、螺旋和网构成的组中的形状布置。

11.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一天线元件和所述第二天线元件由铜或铜合金构成。

12.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述第一RF辐射的远场部分抵消第二RF辐射的远场部分。

13.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述接地平面被配置为反射由所述第一天线元件和所述第二天线元件产生的RF辐射的至少一部分。

14.根据权利要求1所述的近场射频RF功率传送系统,其中,所述接地平面被配置为抵消由所述第一天线元件和所述第二天线元件产生的RF辐射的至少一部分。

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