[发明专利]多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201780062481.0 | 申请日： | 2017-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN109843800B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 井上祐一;江野口正美;冈村恒太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C01B3/52;C01B3/56;C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 尹吉伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
1.一种多晶硅的制造方法，其特征在于，包括：
使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序；
在400kPaG以上的压力下，将从所述硅析出工序排出的排气分离成氯硅烷冷凝液和气体成分A的分离工序；
使所述气体成分A与氯硅烷液接触而将氯化氢除去、得到气体成分B的氯化氢除去工序；
使所述气体成分B与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去、得到氢气A的氢纯化工序；
使与所述气体成分B接触后的活性炭与氢气B接触而再生的活性炭再生工序；及
将通过所述活性炭再生工序而得到的气体成分C进行加压直至达到500kPaG至1000kPaG的压力后供给至所述分离工序的循环工序，
进一步包括氯化氢放出工序，所述氯化氢放出工序从在所述氯化氢除去工序中吸收了所述氯化氢的所述氯硅烷液中放出该氯化氢，
将由所述分离工序得到的所述氯硅烷冷凝液供给至所述氯化氢放出工序。
2.根据权利要求1所述的多晶硅的制造方法，其进一步包括吸收液循环工序，所述吸收液循环工序将由所述氯化氢放出工序得到的放出氯化氢后的所述氯硅烷液的一部分供给至所述氯化氢除去工序。
3.根据权利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其包括将由所述氢纯化工序得到的所述氢气A供给至所述硅析出工序。
4.根据权利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其中，所述气体成分C满足以下的式子，
式子：二氯硅烷含量三氯硅烷含量+四氯硅烷含量
式中，含量是指各成分在二氯硅烷、三氯硅烷及四氯硅烷的含量的合计中所占的比例，所述比例为摩尔％。
5.根据权利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其中，所述分离工序包括将所述排气冷却至-10℃以下。
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