[发明专利]从坩埚中所含的熔体提拉半导体材料单晶的方法

权利要求书

1.用于从坩埚中所含的熔体提拉由半导体材料组成的单晶的方法，该方法包括：

在产生所述单晶的初始锥体的阶段中提拉所述单晶，直至开始提拉所述单晶的圆柱形区段的阶段，其包括：

测量所述单晶的初始锥体的直径Dcr，并计算所述直径的变化dDcr/dt；

从时间点t1直至时间点t2，以提拉速度vp(t)从所述熔体提拉所述单晶的初始锥体，从所述时间点t2起开始以目标直径Dcrs提拉所述单晶的圆柱形区段，其中预先确定从所述时间点t1直至所述时间点t2所述提拉速度vp(t)的分布曲线，并借助于如下迭代评价方程式在提拉所述初始锥体期间改变差值Δt＝t2–t1，直至所述时间点t2符合所述目标直径Dcrs的取得，

其中MenH、vcr和βcr分别代表弯月面高度、单晶的生长速度和晶体角。

2.根据权利要求1所述的方法，该方法包括：

通过对布置在所述熔体上方的环形加热装置的加热功率LstR(t)的开环控制，向所述单晶的边缘与所述熔体之间的相界供热，及

借助于迭代评价方程式预先确定从所述时间点t1直至所述时间点t2所述环形加热装置的加热功率LstR(t)的分布曲线，从而使所述单晶在所述时间点t2的生长速度具有设想值vcrs。