[发明专利]DC-DC转换器

权利要求书

1.一种降压电路，其包括：

电源开关电路部分，包括高侧场效应晶体管和低侧场效应晶体管，其中，所述高侧场效应晶体管包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，并且所述低侧场效应晶体管包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述高侧场效应晶体管和所述低侧场效应晶体管被串联布置成使得所述高侧晶体管和所述低侧晶体管中的每一个的漏极端子在开关节点处连接，

其中，所述电源开关电路部分具有导通状态，在所述导通状态中，施加至所述高侧晶体管的栅极端子的电压被设置成第一值使得所述高侧晶体管被启用，且施加至所述低侧晶体管的栅极端子的电压被设置为第二值使得所述低侧晶体管被禁用；

其中，所述电源开关电路部分具有断开状态，在所述断开状态中，施加至所述高侧晶体管的栅极端子的电压被设置成第三值使得所述高侧晶体管被禁用，且施加至所述低侧晶体管的栅极端子的电压被设置为第四值以便所述低侧晶体管被启用；

其中，高侧晶体管的相应阈值电压在第一值和第三值之间，且其中低侧晶体管的相应阈值电压在第二值和第四值之间；

所述降压电路还包括：

跨接在所述高侧晶体管和所述低侧晶体管两端的输入电压；

包括电感器的能量储存电路部分，所述能量储存电路部分连接到所述开关节点并被布置成提供输出电压；

驱动电路部分，所述驱动电路部分被布置成接收脉冲宽度调制控制信号并输出第一脉冲宽度调制驱动信号和第二脉冲宽度调制驱动信号；以及

预偏置电路部分，所述预偏置电路部分连接到所述电源开关电路部分，被布置成响应于所述脉冲宽度调制驱动信号分别向所述高侧晶体管的栅极端子和所述低侧晶体管的栅极端子施加第一偏压和第二偏压，其中所述预偏置电路部分被布置成使得：

当所述电源开关电路部分处于导通状态时，在切换至断开状态之前，被施加到低侧晶体管的栅极端子的偏压被设置为中间电压，其中所述中间电压在第二值和所述低侧晶体管的阈值电压之间，或其中所述中间电压是所述低侧晶体管的阈值电压；

当所述电源开关电路部分处于断开状态时，在切换至导通状态之前，被施加到高侧晶体管的栅极端子的偏压被设置为中间电压，其中所述中间电压在第三值和所述高侧晶体管的阈值电压之间，或其中所述中间电压是所述高侧晶体管的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的降压电路，其中所述能量储存电路部分包括电容器。

3.根据权利要求1所述的降压电路，其中所述预偏置电路部分包括：

开关偏置电路部分；以及

反馈电路部分，所述反馈电路部分被布置成向所述开关偏置电路提供至少一个另外的偏压，其中所述至少一个另外的偏压取决于通过所述高侧场效应晶体管和所述低侧场效应晶体管中的至少一个的电流；

其中，所述开关偏置电路部分被布置成使得：

当所述电源开关电路部分处于导通状态时，所述开关偏置电路部分将施加到所述低侧晶体管的栅极端子的偏压驱动到所述中间电压，并使所述电源开关电路部分切换至所述断开状态；以及

当所述电源开关电路部分处于断开状态时，所述开关偏置电路部分将施加到所述高侧晶体管的栅极端子的偏压驱动到所述中间电压，并使所述电源开关电路部分切换至所述导通状态。

4.根据权利要求3所述的降压电路，其中所述开关偏置电路部分包括：

第一偏置p沟道场效应晶体管和第一偏置n沟道场效应晶体管，所述第一偏置p沟道场效应晶体管和第一偏置n沟道场效应晶体管被并联布置成使得：

所述第一偏置p沟道场效应晶体管的漏极端子连接到所述第一偏置n沟道场效应晶体管的源极端子并连接到所述高侧场效应晶体管的栅极端子；并且

所述第一偏置p沟道场效应晶体管的源极端子连接到所述第一偏置n沟道场效应晶体管的漏极端子并连接到所述低侧场效应晶体管的栅极端子；以及

第二偏置p沟道场效应晶体管，其被布置成使得其漏极端子分别连接到所述第一偏置p沟道场效应晶体管的漏极端子和所述第一偏置n沟道场效应晶体管的源极端子；以及

第二偏置n沟道场效应晶体管，其被布置成使得其漏极端子分别连接到所述第一偏置p沟道场效应晶体管的源极端子和所述第一偏置n沟道场效应晶体管的漏极端子，

其中所述脉冲宽度调制驱动信号被提供给所述第二偏置p沟道晶体管的栅极端子和所述第二偏置n沟道晶体管的栅极端子。