[发明专利]半导体器件、显示装置和电子设备有效
申请号: | 201780063002.7 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN109844609B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 森训彦;加藤克幸;池田浩一;柳川周作 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08;B81B3/00;G02B26/06;G02B27/02;G02B30/54;G03B35/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 显示装置 电子设备 | ||
根据本公开的一个实施例的半导体器件设置有:衬底;多个结构,被布置为矩阵并具有平面部;以及多个压电致动器,其设置在衬底上,并且分别沿着垂直于衬底的一个表面的方向移动结构。
技术领域
本公开涉及一种用于例如立体图像显示单元中的半导体器件以及一种包括该半导体器件的显示单元和电子设备。
背景技术
在通常的3D显示器中,屏幕设置在真实图像的位置处,并且屏幕以像素为单位在深度方向上移位,从而改变虚拟图像的深度位置。利用3D显示器,即使当从真实图像的位置在深度方向上的位移约为几十μm时,根据光学系统,虚拟图像的深度位置也允许在几十厘米到接近无穷大的范围内位移。针对每个像素,屏幕在深度方向上的位移主要通过微机电系统(MEMS)实现(例如,参见PTL1)。
引文列表
专利文献
PTL 1:日本未审查专利申请公开号2015-161765
发明内容
与此同时,头戴式3D显示器的开发近年来一直在进行中。为了在诸如头戴式显示器等小型显示器中实现如上上述的宽泛的深度信息,需要以例如几十μm程度的小间距在大约几十μm程度的深度方向上进行位移。为此,希望实现一种允许大幅度位移大约10μm程度(order)的活塞型阵列装置,例如,以大约几十μm程度的小间距并且沿着垂直于平面内的方向。
希望提供一种半导体器件、显示单元和电子设备,允许以小间距沿着垂直于平面内的方向的方向进行大幅度位移。
根据本公开的一个实施例的半导体器件包括:衬底;多个结构,被布置为矩阵,并且每个结构具有平面部;以及多个压电致动器,其设置在所述衬底上并且被配置为沿着垂直于所述衬底的一个表面的方向移动所述多个结构中的每一个。
根据本公开的一个实施例的显示单元包括包含透镜和显示装置的光学系统,并且包括根据上述一个实施例的半导体装置,作为显示装置。
根据本公开的一个实施例的电子设备包括根据上述一个实施例的显示单元。
在根据本公开的一个实施例的半导体器件、根据本公开的一个实施例的显示单元以及根据本公开的一个实施例的电子设备中,多个结构(均具有平面部)分别经由多个压电致动器设置在衬底上,该衬底允许结构在垂直于衬底的一个表面的方向上移动。这使得可以在垂直于衬底的一个表面的方向上独立地移动均具有平面部的多个结构。
基于根据本公开的一个实施例的半导体器件、根据本公开的一个实施例的显示单元以及根据本公开的一个实施例的电子设备,允许多个结构沿着垂直于衬底的一个表面的方向移动的多个压电致动器设置在多个结构(具有平面部)和衬底之间。因此,可以相对于衬底的一个表面大幅度改变均具有平面部的多个结构的距离。此外,分别为均具有平面部的多个结构提供多个压电致动器。因此,可以独立地改变均具有平面部的多个结构相对于衬底的一个表面的距离。即,可以以小间距沿着垂直于平面内方向的方向大幅度位移多个结构。
应当注意,本公开的效果不一定限于本文描述的效果,而是可以是本说明书中描述的任何效果。
附图说明
图1是根据本公开的实施例的显示装置的配置的透视图;
图2是图1所示的显示元件的示例配置的透视图;
图3是图1所示的显示元件的配置的另一示例的透视图;
图4是图1所示的致动器的配置的示例的截面图;
图5是图1所示的致动器的配置的另一示例的截面图;
图6A是用于解释图1所示的致动器的配置的示意性平面图;
图6B是用于解释图6A所示的致动器的修改的示意图;
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