[发明专利]用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法

权利要求书

1.一种用于在绝缘体上硅晶圆中溶解埋置氧化物的方法，该方法包括以下步骤：

设置绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)的步骤，该绝缘体上硅晶圆具有经由埋置氧化物层(102、302、402、502)附接至载体衬底(103、303、403、503)的硅层(101、301、401、501)；和

对所述绝缘体上硅晶圆(100、300、400、500)进行退火以至少部分地溶解所述埋置氧化物层(102、302、402、502)的步骤；

特征在于，

所述方法还包括在退火步骤之前在所述硅层(101、301、401、501)上或上方设置氧清除层(104、304、404、504)的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅层(101、301、401、501)具有150nm或更小的厚度(h_Si)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述硅层(101、301、401、501)具有50nm或更小的厚度(h_Si)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述硅层(101、301、401、501)具有25nm或更小的厚度(h_Si)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述硅层(101、301、401、501)具有10nm的厚度(h_Si)。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述硅层(101、301、401、501)是应变层。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述氧清除层(104、304、404、504)具有如下的厚度(h_scav)，即，该厚度适于溶解至少预定厚度的待溶解的所述埋置氧化物层(102、302、402、502)。

8.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述氧清除层(104、304、404、504)包含亚化学计量的HfO₂，即，HfO_x，x2，在HfO₂化学计量之外还有预定量的Hf。

9.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，所述氧清除层(104、304、404、504)还选自以下各项中的至少一种：镧系金属、稀土金属、富钛氮化钛(TiN)、2族元素，以及3族元素。

10.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在退火步骤之前，在所述氧清除层(404)的顶部上和/或所述氧清除层(504)与所述硅层(501)之间设置扩散阻挡层(405、505)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，当将所述扩散阻挡层(405)设置在所述氧清除层(404)的顶部上时，所述扩散阻挡层(405)是氧扩散阻挡层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述扩散阻挡层(405)直接设置在所述氧清除层的顶部上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述扩散阻挡层(405)是氮化硅层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，当将所述扩散阻挡层(505)设置在所述氧清除层(504)和所述硅层(501)之间时，所述扩散阻挡层(505)被选择成防止氧清除元素扩散到所述硅层(501)中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述扩散阻挡层(505)为化学计量HfO₂层。