[发明专利]用于制造应力解耦的微机械压力传感器的方法

权利要求书

1.用于制造微机械压力传感器(100)的方法，所述方法具有以下步骤：

-提供具有硅衬底(11)和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片(12)下面的第一空腔(13)的MEMS晶片(10)；

-提供第二晶片(30)；

-使所述MEMS晶片(10)的下侧与所述第二晶片(30)的上侧键合；并且，

-使具有块状硅(13a)、所述传感器膜片(12)和所述第一空腔(13)的传感器芯(12、13、13a)从所述MEMS晶片(10)的上侧开始露出，其中，在传感器芯(12、13、13a)和所述硅衬底(11)的表面之间构造第二空腔(18)，其中，借助蚀刻过程构造所述第二空腔(18)，该蚀刻过程以与为了构造延伸到所述第二空腔(18)中的进入开口(17)所使用的蚀刻参数相比限定地改变了的蚀刻参数实施。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，为了构造所述第二空腔(18)，所述蚀刻过程是深反应离子蚀刻过程，所述深反应离子蚀刻过程具有各向异性的开始和限定地各项同性的继续。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，为了构造所述第二空腔(18)，借助垂直的蚀刻过程在所述硅衬底(11)中产生进入开口(17)，其中，所述垂直的蚀刻过程改变成侧面的蚀刻过程，其中，由所述侧面的蚀刻过程引起的球形蚀刻前沿共同生长。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述深反应离子蚀刻过程之后移除该蚀刻过程的钝化和喷涂部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，整个蚀刻过程从开始就限定地各项同性地构造。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，借助所述蚀刻过程构造向下扩宽的、梯形的蚀刻前沿。

7.根据前述权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二晶片(30)是无源的衬底晶片或ASIC晶片。

8.根据前述权利要求1或2所述的方法，其中，所述微机械压力传感器(100)构造为压阻式压力传感器或构造为电容式压力传感器。

9.微机械压力传感器(100)，该微机械压力传感器具有：

-具有硅衬底(11)和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片(12)下面的第一空腔(13)的MEMS晶片(10)；

-在所述MEMS晶片(10)的下侧上与所述MEMS晶片(10)键合的第二晶片(30)；

-构造在硅衬底(11)中的、具有块状硅(13a)和传感器膜片(12)的传感器芯(12、13、13a)，其中，在所述传感器膜片(12)中构造有第一空腔(13)；

-构造在所述硅衬底(11)中的、在所述传感器芯(12、13、13a)上方的第二空腔(18)；

-其中，已借助蚀刻过程产生所述第二空腔(18)，该蚀刻过程的蚀刻参数与为了构造延伸到所述第二空腔(18)中的进入开口(17)所使用的蚀刻参数相比已限定地改变。

10.根据权利要求9所述的微机械压力传感器(100)，其特征在于，为了构造所述第二空腔(18)，已借助深反应离子蚀刻过程构造所述微机械压力传感器(100)，所述深反应离子蚀刻过程具有各向异性的开始和限定地各项同性的继续。

11.根据权利要求10所述的微机械压力传感器(100)，其特征在于，所述微机械压力传感器(100)的所述第二空腔(18)是压阻式或电容式压力传感器。