[发明专利]具有改善的凹陷及图案选择性的对氧化物及氮化物有选择性的化学机械抛光组合物有效
| 申请号： | 201780063804.8 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109906257B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | S.帕利卡拉库蒂亚托尔;C.汉密尔顿;K.P.多克利 | 申请（专利权）人： | CMC材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳;宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改善 凹陷 图案 选择性 氧化物 氮化物 化学 机械抛光 组合 | ||
1.化学机械抛光组合物，其包含：
(a)湿法铈氧化物研磨剂，
(b)多羟基芳族羧酸，其中该多羟基芳族羧酸为3,5-二羟基苯甲酸，
(c)任选的式(I)的离子型聚合物：
其中X1及X2独立地选自氢、-OH及-COOH，且其中X1及X2中的至少一者为-COOH，
Z1及Z2独立地为O或S，
R1、R2、R3及R4独立地选自氢、C1-C6烷基及C7-C10芳基，且
n为3至500的整数，及
(d)水，
其中该抛光组合物具有1至4.5的pH值。
2.权利要求1的抛光组合物，其中该湿法铈氧化物研磨剂以该抛光组合物的0.05重量％至1重量％的量存在。
3.权利要求1的抛光组合物，其中X1及X2均为-COOH。
4.权利要求3的抛光组合物，其中Z1及Z2均为O，且R1、R2、R3及R4为氢。
5.权利要求1的抛光组合物，其中该离子型聚合物具有500道尔顿至10,000道尔顿的分子量，且其中n为8至500的整数。
6.权利要求1的抛光组合物，其中该离子型聚合物以该抛光组合物的0.01重量％至0.5重量％的量存在。
7.权利要求1的抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含聚乙烯醇，其中该聚乙烯醇为具有20,000道尔顿至200,000道尔顿的分子量的支链聚乙烯醇。
8.权利要求1的抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含聚乙二醇。
9.对基板进行化学机械抛光的方法，其包括：
(i)提供基板，
(ii)提供抛光垫，
(iii)提供化学机械抛光组合物，其包含：
(a)湿法铈氧化物研磨剂，
(b)多羟基芳族羧酸，其中该多羟基芳族羧酸为3,5-二羟基苯甲酸，
(c)式(I)的离子型聚合物：
其中X1及X2独立地选自氢、-OH及-COOH，
Z1及Z2独立地为O或S，
R1、R2、R3及R4独立地选自氢、C1-C6烷基及C7-C10芳基，且
n为3至500的整数，及
(d)水，
其中该抛光组合物具有1至4.5的pH值，
(iv)使该基板与该抛光垫及该抛光组合物接触，及
(v)使该抛光垫及该化学机械抛光组合物相对于该基板移动以磨除该基板的至少一部分，从而抛光该基板。
10.权利要求9的方法，其中该湿法铈氧化物研磨剂以该抛光组合物的0.05重量％至1重量％的量存在。
11.权利要求9的方法，其中X1及X2均为-COOH。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于CMC材料股份有限公司，未经CMC材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780063804.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
