[发明专利]硅晶片用冲洗剂组合物

权利要求书

1.一种硅晶片用冲洗剂组合物，其包含水溶性高分子及水系介质，其中，

所述水溶性高分子为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S的Zeta电位Z与二氧化硅水分散液即水分散液S₀的Zeta电位Z₀之差即Z－Z₀成为25mV以下的水溶性高分子，

该含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S包含所述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述水溶性高分子的浓度为0.1质量％，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，

该二氧化硅水分散液即水分散液S₀包含二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，所述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，

所述水溶性高分子包含选自由聚甘油、聚甘油衍生物、聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚乙烯醇衍生物及聚丙烯酰胺所组成的组中的至少1种。

2.如权利要求1所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述差Z－Z₀为7mV以下。

3.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为

所述水分散液S中的二氧化硅粒子的二次粒径d与所述水分散液S₀中的二氧化硅粒子的二次粒径d₀之比d/d₀成为1.35以下的水溶性高分子。

4.如权利要求1所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，聚甘油衍生物为聚甘油的烷基醚。

5.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其还包含碱性化合物。

6.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子包含聚甘油及聚甘油烷基醚这两者。

7.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，聚甘油衍生物的疏水基的碳数为6以上且22以下。

8.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子的重均分子量为500以上且1,500,000以下。

9.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为5聚物以上且5,000聚物以下。

10.如权利要求1或2所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述冲洗剂组合物中的所述水溶性高分子的含量为0.001质量％以上且1.0质量％以下。

11.如权利要求1所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为选自由聚甘油、聚甘油衍生物、聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚乙烯醇衍生物及聚丙烯酰胺所组成的组中的至少1种水溶性高分子a1与包含甜菜碱结构的水溶性高分子a2的混合物。

12.如权利要求11所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子为作为聚甘油衍生物的聚甘油烷基醚与包含甜菜碱结构的水溶性高分子a2的混合物。

13.如权利要求11或12所述的硅晶片用冲洗剂组合物，其中，所述水溶性高分子a1与所述水溶性高分子a2的质量比即水溶性高分子a1/水溶性高分子a2为0.5以上且500以下。