[发明专利]集成的直接电介质和金属沉积

权利要求书

1.一种在图案化的半导体衬底上形成膜叠层的方法，该方法包括：

沉积导电膜；以及

沉积电介质膜；

使得所述导电膜沉积和所述电介质膜沉积导致在图案化的半导体衬底上形成导体/电介质膜对；以及

重复所述导电膜和所述电介质膜的沉积以形成膜叠层，该膜叠层包括至少20对导体膜和电介质膜的交替层；

其中所述导电膜沉积和所述电介质膜沉积在相同处理工具或室中进行，而不破坏所述膜沉积之间的真空；并且

其中在所述导电膜沉积和所述电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电膜和电介质膜对以每小时至少5个晶片的速率沉积在所述叠层中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电膜和电介质膜对沉积在所述相同工具的不同模块中进行，而不破坏所述沉积之间的真空。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电膜和电介质膜对沉积在所述相同工具的相同模块中的不同站上进行，而不破坏所述沉积之间的真空。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电膜和电介质膜对沉积在所述相同工具的相同模块中的相同站上进行，而不破坏所述沉积之间的真空。

6.根据权利要求1所述的方法，其中沉积至少50个金属和/或导电金属氮化物和氧化硅膜对。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电膜具有500微欧姆厘米的最大电阻率。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述导电膜是金属或金属氮化物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电膜是TiN。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质是氧化物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述氧化物是SiO₂。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积通过热化学气相沉积(CVD)进行。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积通过原子层沉积(ALD)进行。

15.根据权利要求4所述的方法，其中，所述不同站各自是微容积站。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述微容积站包括多个节流阀，一个用于所述电介质站，一个用于所述导体站，使得能够独立地保持压强。

17.根据权利要求15所述的方法，其中每个站的排放是局部的并且不共享，使得来自每个站的排放能保持独立而没有气体的交叉混合/污染。

18.根据权利要求15所述的方法，其中通过用帘式气体虚拟密封来防止所述模块中的站之间的交叉污染。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述站的硬件包括陶瓷以避免腐蚀或污染。

20.根据权利要求4所述的方法，其中所述导电膜和电介质膜对以每小时至少5个晶片的速率沉积在所述叠层中。