[发明专利]蚀刻液组合物和蚀刻方法

说明书

提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。

技术领域

本发明涉及为了对铜系层进行蚀刻而使用的蚀刻液组合物、和使用其的蚀刻方法。

背景技术

为了安装电子部件、半导体元件等，广泛使用了表面形成有电路布线的印刷电路板(或薄膜)。而且，随着近年来的电子设备的小型化和高功能化的要求，对于印刷电路板(或薄膜)的电路布线，也期望高密度化和薄型化。进而，由于智能手机的普及而静电容量式的触摸面板的需求扩大，用于对透明导电膜中使用的铟-锡氧化物(以下，也记作“ITO”)薄膜进行加工的蚀刻液的需求提高。其中，强烈要求能选择性地蚀刻ITO薄膜上的铜和铜合金覆膜的蚀刻液。

作为相关的现有技术，专利文献1中提出了一种蚀刻液，其含有：过氧化氢；不包含氟原子的酸；氟离子供给源；膦酸类；过氧化氢稳定剂；和，水，且所述蚀刻液为pH5以下。进而，专利文献1的比较例2和5中，示例了组合了过氧化氢和5-氨基-1H-四唑的组合物。但是，比较例2和5中示例的组合物无法充分抑制对IGZO的损伤，且铜等的金属化合物如果溶解，则过氧化氢的分解速度上升，因此，作为铜或以铜为主成分的金属化合物用的蚀刻液，据说是不适当的。

另外，专利文献2中提出了一种铜或铜合金用的蚀刻液，其含有：链状烷醇胺；分子内具有酸基的螯合剂；和，过氧化氢。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-111342号公报

专利文献2：日本特开2013-076119号公报

发明内容

发明要解决的问题

如果使用专利文献1中提出的蚀刻液对铜层进行蚀刻，则细线的细化大，难以得到期望的宽度的细线。其中，存在如下问题：非常难以形成10～40μm的宽度的细线；在细线上部变得容易产生1～5μm左右的大小的缺口。

因此，本发明是为了解决上述问题而作出的，其课题在于，提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。另外，本发明的课题在于，提供一种蚀刻方法，其使用上述蚀刻液组合物。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题反复深入研究，结果发现：含有特定成分的蚀刻液组合物能解决上述问题，完成了本发明。

即，根据本发明，提供一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。

本发明中，优选进一步含有：(D)选自由下述通式(1)所示的化合物、牛磺酸和甘氨酸组成的组中的至少1种。

(前述通式(1)中，X₁和X₂各自独立地表示碳原子数1～5的烷二基，n表示0或1的数)