[发明专利]混合有源矩阵平板检测器系统和方法

权利要求书

1.一种辐射成像传感器，包括：

低x射线衰减基底；

被布置在所述基底之上的光电导元件；以及

被布置在光电导元件之上的闪烁体。

2.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，其中所述基底是柔性基底。

3.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，此外包括在基底和光电导元件之间的电荷阻挡层。

4.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，此外包括在光电导元件和闪烁体之间的电荷阻挡层。

5.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，此外包括在基底和光电导元件之间的第一电荷阻挡层以及在光电导元件和闪烁体之间的第二电荷阻挡层。

6.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，此外包括在基底和光电导元件之间的像素电极阵列。

7.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，此外包括在光电导元件和闪烁体之间的透明导电电极。

8.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，其中闪烁体的有效电子-空穴对（EHP）创建能量（W±）大体上等于光电导元件的有效电子-空穴对（EHP）创建能量（W±）。

9.根据权利要求1所述的辐射成像传感器，此外包括被布置在光电导元件和闪烁体之间的光电转换层，其中所述光电转换层包括掺杂了碲的a-Se、硒化镉或硫化镉。

10.一种辐射成像传感器，其自下而上包括：

低x射线衰减基底；

包括多个像素电极的像素电极阵列；

第一电荷阻挡层；

光电导元件；

第二电荷阻挡层；

透明导电电极；以及

光学地耦合到光电导元件的闪烁体。

11.根据权利要求10所述的辐射成像传感器，此外包括薄膜晶体管和存储电容器，其与所述多个像素电极中的每一个电通信。

12.根据权利要求10所述的辐射成像传感器，其中光电导元件包括从包括非晶硒、碲化镉、碘化铅、氧化铅（II）、碘化汞、锆钛酸铅以及钛酸锶钡的组中所选的材料，并且闪烁体包括从包括氧化铯、锗酸铋、硅酸镥、硅酸镥钇、钨酸钙、掺杂了铊的碘化铯、掺杂了铽的硫氧化钆、氟卤化钡以及闪烁玻璃的组中所选的材料。

13.根据权利要求10所述的辐射成像传感器，此外包括被布置在光电导元件和闪烁体之间的光电转换层，其中所述光电转换层包括掺杂了碲的a-Se、硒化镉或硫化镉。

14.根据权利要求13所述的辐射成像传感器，此外包括在光电导元件和光电转换层之间的缓冲层。

15.一种用于成像x射线辐射的方法，包括：

将包括光电导元件和闪烁体的辐射成像传感器暴露给x射线辐射；

响应于通过光电导元件对辐射的第一部分的吸收而在光电导元件内直接生成电荷载子，其中辐射的第二部分通过光电导元件；

响应于闪烁体对辐射的第二部分的吸收而在闪烁体内生成光学光子；以及

响应于光电导元件对光学光子的吸收而在光电导元件内间接生成电荷载子。

16.根据权利要求15所述的方法，其中x射线辐射通过低x射线衰减基底而进入传感器。

17.根据权利要求16所述的方法，此外包括在位于低x射线衰减基底与光电导元件之间的像素电极阵列上形成电荷图案。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述光电导元件吸收电离辐射的第一部分并且感测光学光子。