[发明专利]TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板，具有：

多个像素，其排列为具有多个行和多个列的矩阵状；

基板；以及

多个TFT，其支撑于上述基板，各自连接到上述多个像素中的任意一个像素，

上述TFT基板的特征在于，具有：

第1导电层，其包含上述多个TFT的栅极电极；

栅极绝缘层，其形成在上述第1导电层上；

半导体层，其形成在上述栅极绝缘层上，包含沟道区域、源极区域以及漏极区域；

保护绝缘层，其包含覆盖上述沟道区域的部分，具有到达上述源极区域的第1开口部和到达上述漏极区域的第2开口部；以及

第2导电层，其形成在上述保护绝缘层上，包含：源极电极，其形成在上述保护绝缘层上和上述第1开口部内，在上述第1开口部内与上述源极区域接触；以及漏极电极，其形成在上述保护绝缘层上和上述第2开口部内，在上述第2开口部内与上述漏极区域接触，

上述多个像素中的每个像素具有补偿电容部，

上述第1导电层还包含第1电极部，上述第1电极部电连接到上述栅极电极，构成上述补偿电容部，

上述第2导电层还包含第2电极部，上述第2电极部电连接到上述漏极电极，与上述第1电极部重叠，构成上述补偿电容部，

上述保护绝缘层还具有第3开口部，上述第3开口部与上述半导体层不重叠，上述第3开口部包含：第1部分，其与上述第1电极部及上述第2电极部重叠；以及第2部分，其沿着从上述第2开口部朝向上述第1开口部的方向与上述第1部分相邻，与上述第1电极部和/或上述第2电极部不重叠。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，

上述多个像素包含从上述第2开口部朝向上述第1开口部的方向相互大致相反的第1像素和第2像素。

3.根据权利要求2所述的TFT基板，

上述第1像素和上述第2像素在上述TFT的沟道宽度方向上相互相邻。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，具有：

多个栅极总线，其各自连接到上述多个TFT中的任意一个TFT，在行方向上延伸；以及

多个源极总线，其各自连接到上述多个TFT中的任意一个TFT，在列方向上延伸，

上述多个像素包含在列方向上相互相邻并且连接到相互不同的上述源极总线的2个像素。

5.根据权利要求4所述的TFT基板，

在列方向上相互相邻的2个像素连接到相互不同的上述源极总线。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，

上述栅极绝缘层具有第1绝缘层和形成在上述第1绝缘层上的第2绝缘层，

上述第2绝缘层具有侧面与上述第3开口部的侧面对齐的第4开口部。

7.根据权利要求6所述的TFT基板，

上述保护绝缘层和上述第2绝缘层由相同材料形成。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，

上述半导体层还包含从上述漏极区域横穿上述栅极电极的上述漏极电极侧的边缘延伸设置的延设部分。

9.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，

在上述第2开口部与上述栅极电极的上述漏极电极侧的边缘之间，上述漏极电极的边缘横穿上述半导体层。

10.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，

在上述多个像素的每个像素中，

若将上述栅极电极和上述漏极电极这两者重叠，并且与上述半导体层不重叠的区域作为第1区域，

将与上述第1电极部及上述第2电极部重叠而与上述第3开口部不重叠，并且沿着从上述第1开口部朝向上述第2开口部的方向与上述第1部分相邻的区域作为第2区域，

则在上述第2导电层相对于上述第1导电层在上述TFT的沟道长度方向上发生了偏移时，偏移量的每单位长度的上述第1区域的面积的变化大致等于偏移量的每单位长度的上述第2区域的面积的变化。