[发明专利]片上系统、包括该片上系统的电子装置及其驱动方法有效
申请号: | 201780065443.0 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN109844688B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 金在哲;金珍奎;金东宇;金桢昊;郑载洙;河锺植;吴熙泰;俞赫善;李承荣;崔佑宁;韩在雄;许慢根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F1/3234 | 分类号: | G06F1/3234;H03F3/217;G06F1/324;G06F1/3206;G06F1/3296;G06F15/78 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;杨莘 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 包括 该片 电子 装置 及其 驱动 方法 | ||
1.电子装置,包括:
片上系统SoC,所述SoC包括至少一个部件;
存储器;以及
处理器,所述处理器功能性地连接至所述SoC和所述存储器,其中,所述处理器配置成:
施加用于以特定频率驱动所述至少一个部件的默认电压,
确定在偏移电压表中是否存储有与对应于所述至少一个部件和所述特定频率的偏移电压有关的数据,
当存储有与所述偏移电压有关的数据时,向所述至少一个部件施加与所述默认电压不同的所述偏移电压,
当未存储有与所述偏移电压有关的数据时,通过将制造所述SoC的情况下的硬件性能监视器HPM值与所述SoC安装在所述电子装置中的情况下的HPM值进行比较,获取所述电子装置的偏移电压数据,
通过施加与所述偏移电压数据对应的电压并且所述电子装置以最大负载状态驱动处理器,对所述偏移电压数据进行验证,以及
当所述偏移电压数据通过验证时,基于所述偏移电压数据更新所述偏移电压表。
2. 根据权利要求1所述的电子装置,其中,当施加所述默认电压时,所述处理器还配置成:
加载动态电压频率缩放DVFS表,以及
通过在所述DVFS表中识别与所述至少一个部件和所述特定频率对应的默认电压来施加所述默认电压。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述至少一个部件包括中央处理单元(CPU)、内部(INT)存储器、存储器接口(MIF)存储器、图形处理单元(GPU)以及图像信号处理器(ISP)中的至少一个。
4. 根据权利要求1所述的电子装置,其中,在获取所述偏移电压数据时,所述处理器还配置成:
获取与所述默认电压以及对应于所述至少一个部件和所述特定频率的HPM值有关的信息,以及
获取与所述默认电压和所述HPM值对应的偏移电压数据。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其中,当获取所述偏移电压数据时,所述处理器还配置成:
根据通过以预设比率降低所述默认电压而获取的经更新的默认电压来获取所述偏移电压数据。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其中,所述预设比率是由制造所述SoC的供应商设定的裕度值。
7.根据权利要求5所述的电子装置,其中,在获取所述偏移电压数据时,所述处理器还配置成:
至少基于所比较的HPM值之间的差值来获取所述偏移电压数据。
8. 根据权利要求7所述的电子装置,其中,在获取所述偏移电压数据时,所述处理器还配置成:
在所述SoC安装在所述电子装置中的情况下的HPM值大于制造所述SoC的情况下的HPM值时,通过从经更新的默认电压减去与所比较的HPM值之间的差值对应的电压来获取所述偏移电压数据,以及
在所述SoC安装在所述电子装置中的情况下的HPM值小于制造所述SoC的情况下的HPM值时,通过将与所比较的HPM值之间的差值对应的电压和经更新的默认电压相加来获取所述偏移电压数据。
9. 根据权利要求1所述的电子装置,其中,当将所述偏移电压施加至所述至少一个部件时,所述处理器还配置成:
识别所述电子装置的操作模式,以及
基于所识别的操作模式向所述至少一个部件施加特定电压,所述特定电压通过以所述默认电压与所述偏移电压之间的差值的预定比率降低所述默认电压而获得。
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