[发明专利]发光标记物组合物、包含发光标记物组合物的发光材料以及包含发光标记物组合物的制品有效
申请号: | 201780065768.9 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN109890936B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 卡斯滕·劳;威廉·罗斯·拉波波特 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | C09K11/00 | 分类号: | C09K11/00;C09K11/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马蔚钧;周齐宏 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 标记 组合 包含 材料 以及 制品 | ||
1.一种发光标记物组合物,包含:
第一发光标记物,所述第一发光标记物包含第一发射离子,其中所述第一发光标记物在暴露于激发能量时在第一标记物发射带中产生第一发射;
第二发光标记物,所述第二发光标记物包含不同于所述第一发射离子的第二发射离子,其中所述第二发光标记物在暴露于激发能量时在不同于所述第一标记物发射带的第二标记物发射带中产生第二发射;以及
第三发光标记物,所述第三发光标记物包含所述第一发射离子和所述第二发射离子;
其中所述第一发光标记物不有意掺杂所述第二发射离子,并且所述第二发光标记物不有意掺杂所述第一发射离子;和
其中所述第一发射离子和所述第二发射离子独立地选自钕、镱、铒、铥或钬。
2.根据权利要求1所述的发光标记物组合物,其中所述第三发光标记物在暴露于激发能量时在所述第一标记物发射带中产生发射并在所述第二标记物发射带中产生发射,并且其中所述第三发光标记物在所述第一标记物发射带和所述第二标记物发射带中的所述发射分别具有能够与所述相应的第一发射和第二发射的发射特性区分开的一个或多个特性。
3.根据权利要求1所述的发光标记物组合物,其具有在所述第一标记物发射带中的混淆发射和在所述第二标记物发射带中的混淆发射,所述混淆发射不能分别由所述第一发光标记物和所述第二发光标记物单独地再现。
4.根据权利要求2所述的发光标记物组合物,其中所述第三发光标记物在所述第一标记物发射带和所述第二标记物发射带中的所述发射的特性能够分别与所述第一发光标记物的第一发射和所述第二发光标记物的所述第二发射的所述对应特性在以下一个或多个方面区分开:发射强度、时间特性、分支比、到另一个带中的另一个离子的能量转移和来自另一个带中的另一个离子的发射或者此类发射特性的组合。
5.根据权利要求1所述的发光标记物组合物,其中所述第一发光标记物、所述第二发光标记物以及所述第三发光标记物具有共同激发。
6.根据权利要求1所述的发光标记物组合物,其中所述第一发光标记物、所述第二发光标记物和/或所述第三发光标记物还包含用于吸收入射辐射的敏化离子,其中所述敏化离子在激发之后将能量分别转移到所述第一发射离子和/或所述第二发射离子。
7.根据权利要求1所述的发光标记物组合物,其中在所述第一发光标记物与所述第二发光标记物之间基本上没有能量转移。
8.根据权利要求1所述的发光标记物组合物,其中所述第一发光标记物和所述第二发光标记物不有意掺杂具有可检测发射的附加发射离子。
9.一种发光材料,包含:
介质;
第一发光标记物,所述第一发光标记物设置在所述介质中并且包含第一发射离子,其中所述第一发光标记物在暴露于激发能量时在第一标记物发射带中产生第一发射;
第二发光标记物,所述第二发光标记物设置在所述介质中并且包含不同于所述第一发射离子的第二发射离子,其中所述第二发光标记物在暴露于激发能量时在不同于所述第一标记物发射带的第二标记物发射带中产生第二发射;以及
第三发光标记物,所述第三发光标记物设置在所述介质中并且包含所述第一发射离子和所述第二发射离子;
其中所述第一发光标记物不有意掺杂所述第二发射离子,并且所述第二发光标记物不有意掺杂所述第一发射离子;和
其中所述第一发射离子和所述第二发射离子独立地选自钕、镱、铒、铥或钬。
10.一种含发光标记物的制品,包括:
基板;以及
验证特征,所述验证特征位于所述基板的表面上或集成在所述基板内,其中所述验证特征包含:
第一发光标记物,所述第一发光标记物包含第一发射离子,其中所述第一发光标记物在暴露于激发能量时在第一标记物发射带中产生第一发射;
第二发光标记物,所述第二发光标记物包含不同于所述第一发射离子的第二发射离子,其中所述第二发光标记物在暴露于激发能量时在不同于所述第一标记物发射带的第二标记物发射带中产生第二发射;以及
第三发光标记物,所述第三发光标记物包含所述第一发射离子和所述第二发射离子;
其中所述第一发光标记物不有意掺杂所述第二发射离子,并且所述第二发光标记物不有意掺杂所述第一发射离子;和
其中所述第一发射离子和所述第二发射离子独立地选自钕、镱、铒、铥或钬。
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