[发明专利]发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置有效

专利信息
申请号: 201780066157.6 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN109997236B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 金恩柱 申请(专利权)人: 首尔半导体株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/50;H01L25/075;G02F1/1335
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 姜长星;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 以及 具有 显示装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装件,包括:

发光二极管芯片;

反射部,布置在所述发光二极管芯片的上表面,反射从所述发光二极管发出的光的至少一部分;以及

成型部,布置为覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面,

其中,所述反射部包括:

第一反射部,布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分;以及

第二反射部,布置在所述发光二极管芯片的上表面,并布置为围绕所述第一反射部,

其中,所述第二反射部的反射率大于所述第一反射部的反射率。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,

在所述成型部,从所述反射部的上表面到所述成型部的上表面的厚度小于从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,

在所述成型部,从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度是从所述反射部的上表面到成型部的上表面的厚度的1.5倍以上且4倍以下。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,

所述成型部包括一种以上的荧光体以及光扩散剂中的任意一个以上。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,

所述反射部包括分布布拉格反射器。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,

所述反射部对从所述发光二极管芯片发出的光的透过率为0%至80%。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述成型部包括:

第一成型部,覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面;以及

第二成型部,覆盖所述第一成型部的上表面以及侧表面。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,

所述第一成型部以及第二成型部中的任意一个以上包括一种以上的荧光体。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,

当所述第一成型部以及第二成型部分别包括一种以上的荧光体时,则包括于所述第一成型部以及第二成型部的荧光体的种类互不相同。

10.如权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,

所述第二成型部具有比所述第一成型部薄的厚度。

11.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,

所述成型部的侧表面是倾斜面。

12.如权利要求11所述的发光二极管封装件,其中,

所述倾斜面是下方向倾斜的面。

13.一种发光二极管封装件,其中,包括:

发光二极管芯片;

反射部,布置在所述发光二极管芯片的上表面,反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分;以及

成型部,布置在所述发光二极管芯片的侧表面,

其中,所述反射部包括:

第一反射部,布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分;以及

第二反射部,布置在所述发光二极管芯片的上表面,并布置为围绕所述第一反射部,

其中,所述第二反射部的反射率大于所述第一反射部的反射率。

14.如权利要求13所述的发光二极管封装件,其中,

所述反射部在所述发光二极管芯片的上表面向外部暴露。

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