[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

功率模块，其包含半导体元件、搭载有所述半导体元件的金属部件、以及对所述半导体元件进行封装且使所述金属部件的至少一部分露出的封装材料；以及

散热部件，其与所述功率模块的所述金属部件连接，

在所述金属部件中形成有多个凹部或多个凸部的任意一者，在所述散热部件中形成有多个凹部或多个凸部的任意另一者，

由所述多个凹部及所述多个凸部构成的多个凹凸部的一部分即第1凹凸部包含1个所述凹部和1个所述凸部，

所述第1凹凸部与所述多个凹凸部中的所述第1凹凸部之外的第2凹凸部相比，高度方向的尺寸大，

所述第1凹凸部的壁面包含具有相对于所述高度方向的第1倾斜角度的第1壁面部分、和具有与所述第1倾斜角度不同的第2倾斜角度的第2壁面部分，

所述金属部件和所述散热部件在所述多个凹部和所述多个凸部接触的多个凹凸部处成为一体，

所述第1凹凸部以夹着所述第2凹凸部的方式配置有1对，

在所述金属部件中形成有所述多个凹部及作为所述凹部的一部分的多个外斜面部、或所述多个凸部的任意一者，在所述散热部件中形成有所述多个凹部及所述外斜面部、或所述多个凸部的任意另一者，

就所述1对第1凹凸部而言，所述1对第1凹凸部的每一者所包含的所述凸部即1对凸部，以从根部侧向顶端侧沿所述多个外斜面部并且相对于所述高度方向倾斜的方式延伸，

所述金属部件和所述散热部件在所述多个外斜面部和所述多个凸部接触的多个第1凹凸部、及所述多个凹部和所述多个凸部接触的多个第2凹凸部处成为一体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个凹部及所述多个凸部在俯视观察中配置为点状。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

构成所述第1凹凸部的所述凹部与构成所述第1凹凸部的所述凸部相比，高度方向的尺寸大。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述金属部件的硬度与所述散热部件的硬度不同。

5.一种半导体装置的制造方法，其具备如下工序：

准备功率模块的工序，该功率模块包含半导体元件、固定有所述半导体元件且形成有多个凹部或多个凸部的任意一者的金属部件、以及对所述半导体元件进行封装且使所述金属部件的至少一部分露出的封装材料；

准备散热部件的工序，该散热部件形成多个凹部或多个凸部的任意另一者，与所述功率模块连接；以及

通过将所述多个凹部和所述多个凸部彼此嵌合而形成多个凹凸部，从而将所述金属部件和所述散热部件一体化的工序，

所述多个凹凸部的一部分即第1凹凸部与所述多个凹凸部中的所述第1凹凸部之外的第2凹凸部相比，高度方向的尺寸大，

构成所述第1凹凸部的所述凹部即第1凹部的壁面及构成所述第1凹凸部的所述凸部即第1凸部的壁面，为相对于高度方向倾斜的倾斜面，

所述第1凹部的壁面的倾斜角度与所述第1凸部的壁面的倾斜角度不同，

在进行所述一体化的工序中，通过所述第1凹部及所述第1凸部彼此接触，从而所述第1凹部及所述第1凸部的至少任意一者产生塑性变形，

所述多个凹部包含构成所述第2凹凸部的第2凹部，

所述多个凸部包含构成所述第2凹凸部的第2凸部，

在进行所述一体化的工序中，将所述多个凹部和所述多个凸部彼此嵌合时，所述第1凹部及所述第1凸部与所述第2凹部及所述第2凸部相比先彼此接触，

所述第1凹凸部以夹着所述第2凹凸部的方式配置有1对，

在所述金属部件中形成有所述多个凹部及作为所述凹部的一部分的多个外斜面部、或所述多个凸部的任意一者，在所述散热部件中形成有所述多个凹部及所述外斜面部、或所述多个凸部的任意另一者，

就所述1对第1凹凸部而言，所述1对第1凹凸部的每一者所包含的所述凸部即1对凸部，以从根部侧向顶端侧沿所述多个外斜面部并且相对于所述高度方向倾斜的方式延伸，

所述金属部件和所述散热部件在所述多个外斜面部和所述多个凸部接触的多个第1凹凸部、及所述多个凹部和所述多个凸部接触的多个第2凹凸部处成为一体。