[发明专利]超声波检查装置及超声波检查方法

权利要求书

1.一种超声波检查装置，其特征在于，

是以经封装化的半导体器件为检查对象的超声波检查装置，

具备：超声波振子，其对所述半导体器件输出超声波；

介质保持部，其在所述超声波振子与所述半导体器件之间保持传播所述超声波的介质；

反射检测部，其检测由所述半导体器件反射的所述超声波的反射波；

载置台，其使所述半导体器件与所述超声波振子的相对位置移动；

载置台控制部，其控制所述载置台的驱动；以及

解析部，其解析与由所述超声波振子进行的超声波输入对应的所述半导体器件的反应，

所述介质保持部具有筒状构件，所述筒状构件滑动自如地设置于所述超声波振子的端部并形成保持所述介质的容积可变的保持空间，

所述载置台控制部基于在所述反射检测部检测出的所述反射波的时间波形中出现的波峰，控制所述半导体器件与所述超声波振子的距离。

2.如权利要求1所述的超声波检查装置，其中，

所述载置台控制部以与所述超声波在所述半导体器件内部的芯片表面的反射对应而出现在所述反射波的所述时间波形的所述波峰的振幅成为最大的方式控制所述半导体器件与所述超声波振子的距离。

3.如权利要求2所述的超声波检查装置，其中，

所述载置台控制部基于出现在所述时间波形中的第2个之后的任一波峰，控制所述半导体器件与所述超声波振子的距离。

4.如权利要求1或2所述的超声波检查装置，其中，

所述载置台控制部基于所述半导体器件中的封装的信息来设定对于所述时间波形的检测窗，进行所述波峰的检测。

5.如权利要求1或2所述的超声波检查装置，其中，

还具备：

电源装置，其对所述半导体器件施加恒定电压或恒定电流；及

反应检测部，其在所述恒定电压或恒定电流的施加状态下，检测与所述超声波的输入对应的所述半导体器件的电流或电压，

所述解析部基于来自所述反应检测部的检测信号生成解析图像。

6.如权利要求5所述的超声波检查装置，其中，

还具备信号发生部，其对所述超声波振子输入驱动信号，且输出对应于所述驱动信号的参考信号，

所述解析部基于所述检测信号与所述参考信号生成所述解析图像。

7.如权利要求5所述的超声波检查装置，其中，

所述解析部基于来自所述反射检测部的检测信号生成反射图像。

8.如权利要求7所述的超声波检查装置，其中，

所述解析部生成将所述解析图像与所述反射图像重叠后的重叠图像。

9.一种超声波检查方法，其特征在于，

是以经封装化的半导体器件为检查对象的超声波检查方法，

包括：

保持步骤，在超声波振子与所述半导体器件之间保持传播超声波的介质；

调整步骤，对所述半导体器件调整自所述超声波振子输出的超声波的焦点位置；以及

解析步骤，解析与所述超声波的输入对应的所述半导体器件的反应，

在所述保持步骤，通过滑动自如地设置于所述超声波振子的端部的筒状构件来调整保持所述传播超声波的介质的保持空间的容积，

在所述调整步骤中，检测由所述半导体器件反射的所述超声波的反射波，并基于出现在所述反射波的时间波形中的波峰，调整所述半导体器件与所述超声波振子的距离。

10.如权利要求9所述的超声波检查方法，其中，

在所述调整步骤中，以与所述超声波在所述半导体器件内部的芯片表面的反射对应而出现在所述反射波的所述时间波形的所述波峰的振幅成为最大的方式调整所述半导体器件与所述超声波振子的距离。