[发明专利]雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其包括：第一半导体层，其在第一导电型且具有均匀的杂质浓度的基板半导体层的内部，以在横方向上占据预定区域的方式形成；

第二半导体层，其在所述基板半导体层内部，在所述第一半导体层上且与其相接而形成，且为与所述第一导电型相反的第二导电型；

第三半导体层，其在所述基板半导体层内部，在所述第二半导体层上且与其相接而形成，且为比所述第二半导体层的杂质浓度低的所述第二导电型；

第四半导体层，其形成于所述第三半导体层中浅的部分，且为比所述第三半导体层的杂质浓度高的所述第二导电型；

第五半导体层，其在所述基板半导体层内部，形成于在横方向上远离所述第三半导体层的位置且为所述第一导电型；

第六半导体层，其形成于所述第五半导体层中的浅的部分，且为第五导电型的杂质浓度高的浓度的所述第一导电型；

第一接点，其与所述第四半导体层电连接；

第二接点，其与所述第六半导体层电连接，

其特征在于，所述第一半导体层分别与所述第二半导体层及所述第五半导体层的正下方相接，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的结处发生雪崩现象，

所述第一半导体层中存在于所述第二半导体层正下方的第一部分与存在于所述第五半导体层的正下方的第二部分在横方向上相互分离。

2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于：

在所述基板半导体层内，在横方向上所述第三半导体层与所述第五半导体层之间存在与所述基板半导体层的杂质浓度相同浓度的非掺杂区域。

3.如权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于：

所述第五半导体层在所述基板半导体层内，配置为在横方向上与所述第三半导体层分离并包围所述第三半导体层，

用于分离元件的浅沟道隔离区域沿所述第五半导体层的表面部分的内周以及外周相接配置，且在横方向上与所述第三半导体层分离。

4.如权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于：所述基板半导体层为外延基板的外延层。

5.如权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于：所述第一半导体层的杂质浓度比所述第二半导体层的杂质浓度低。