[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成金属氧化物层；

以覆盖所述金属氧化物层的端部的方式在所述金属氧化物层上形成树脂层；

以覆盖所述树脂层的端部的方式在所述树脂层上形成绝缘层；以及

通过进行光照射，来将包括所述树脂层及所述绝缘层的叠层从所述金属氧化物层分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

以与所述金属氧化物层及所述树脂层重叠的方式在所述绝缘层上形成粘合层，该粘合层的端部位于所述金属氧化物层的所述端部的内侧，其中在形成所述粘合层之后将所述树脂层从所述金属氧化物层分离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

在形成所述粘合层之前在所述树脂层上形成框状的隔壁，

其中所述粘合层形成在所述隔壁的内侧。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述树脂层包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述光为激光，并且

其中通过对所述金属氧化物层与所述树脂层的界面或者所述界面的附近照射所述激光，来将所述树脂层从所述金属氧化物层分离。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述光的波长为180nm以上且450nm以下。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述光的波长为308nm。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中使用线性激光装置进行所述光照射。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中以250mJ/cm²以上且360mJ/cm²以下的能量密度进行所述光照射。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属氧化物层包括钛、钼、铝、钨、硅、铟、锌、镓、钽和锡中的一个或多个。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述金属氧化物层包括钛和氧化钛中的一个或两个。

12.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；

以覆盖所述第一金属氧化物层的端部的方式在所述第一金属氧化物层上形成第一树脂层并且以覆盖所述第二金属氧化物层的端部的方式在所述第二金属氧化物层上形成第二树脂层；

以覆盖所述第一树脂层的端部及所述第二树脂层的端部的方式在所述第一树脂层及所述第二树脂层上形成绝缘层；以及

通过进行光照射，来将包括所述第一树脂层、所述第二树脂层及所述绝缘层的叠层从所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层分离。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一树脂层及所述第二树脂层的每一个包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域。

14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，

其中所述光为激光，并且

其中通过对所述第一金属氧化物层与所述第一树脂层的界面或者所述界面的附近照射所述激光，来将所述第一树脂层从所述第一金属氧化物层分离。

15.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述光的波长为180nm以上且450nm以下。

16.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中所述光的波长为308nm。