[发明专利]氟类气体检测装置及其的制造方法有效
| 申请号： | 201780066530.8 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109891225B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 徐亨卓;沈高云;李相渊 | 申请（专利权）人： | 亚洲大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 检测 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种氟类气体检测装置，其特征在于，包括：
基板；以及
检测层，配置于上述基板，包含氢化过渡金属氧化物并在与氟类气体反应的情况下，颜色发生变化，
上述过渡金属氧化物包含选自由氧化钨WOx、氧化钼MoOx以及氧化铌NbOx组成的组中的至少一种，
所述氢化过渡金属氧化物是在氢气氛围下照射紫外线，并在上述过渡金属氧化物的纳米粉末或纳米结构体中掺杂氢而形成的。
2.根据权利要求1所述的氟类气体检测装置，其特征在于：
上述氟类气体包含氟化氙气体、氟化碳气体或氟化硫气体。
3.根据权利要求1所述的氟类气体检测装置，其特征在于：
上述基板由选自由纸、纤维、高分子、陶瓷、玻璃以及金属组成的组中的至少一种物质形成。
4.一种氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤；以及
在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤，
上述过渡金属氧化物薄膜由选自由氧化钨WOx、氧化钼MoOx以及氧化铌NbOx组成的组中的至少一种形成，
在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤是在氢气氛围下照射紫外线，并在过渡金属氧化物的纳米粉末或纳米结构体中掺杂氢而形成氢化过渡金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于：
在上述基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤包括在上述基板上涂敷过渡金属氧化物纳米粉末的步骤，
在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤包括在氢气氛围下用紫外线照射上述过渡金属氧化物薄膜的步骤。
6.根据权利要求4所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于：
在上述基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤包括在上述基板上利用水热合成法来使多个过渡金属氧化物纳米结构体生长的步骤，
在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤包括在氢气氛围下用紫外线照射上述过渡金属氧化物薄膜的步骤。
7.根据权利要求4所述的氟类气体检测装置的制造方法，其特征在于：
在上述基板上形成过渡金属氧化物薄膜的步骤包括在上述基板上以溅射方法形成过渡金属氧化物薄膜的步骤，
在上述过渡金属氧化物薄膜掺杂氢的步骤包括在氢气氛围下用紫外线照射上述过渡金属氧化物薄膜的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚洲大学校产学协力团，未经亚洲大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780066530.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂层和陶瓷基复合材料的无损检测方法
- 下一篇：家用器具的氧气传感器的校准
