[发明专利]包含金属氧化物缓冲层的太阳能电池和制造方法在审
申请号: | 201780066731.8 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109923687A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | K·A·布什;A·F·帕尔姆斯特伦;M·D·麦吉;S·F·本特 | 申请(专利权)人: | 小利兰斯坦福大学理事会 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化学气相沉积 钙钛矿材料 太阳能电池 钙钛矿 缓冲层 吸收层 金属氧化物缓冲层 单结太阳能电池 低温原子层沉积 太阳能电池结构 电极沉积 缓冲材料 透明电极 多电池 脉冲 沉积 安置 损害 制造 | ||
1.一种太阳能电池(100),其操作用于将第一光信号(124)转换成电能,所述太阳能电池包括:
包含第一材料(112)的第一吸收层(110),所述第一材料是钙钛矿并且具有第一能带隙;
与所述第一吸收层电连通的电接触件(122),所述电接触件对于第一波长范围基本透明,所述第一光信号包括在所述第一波长范围内的光;和
在所述电接触件与所述第一吸收层之间的缓冲层(116),所述缓冲层包含含有第一金属氧化物的第一层(118)。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第一金属氧化物是氧化锡。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第一金属氧化物选自由以下组成的群组:氧化锌、氧化锌锡、氧化钛、氧化镍、氧化铂、氧化钨和氧化钒。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述缓冲层进一步包括包含第二金属氧化物的第二层(120)。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中第一金属氧化物是氧化锡并且所述第二金属氧化物是氧化锌锡。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述缓冲层操作用于从所述第一吸收层提取电子。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述缓冲层与卤化物基本上不反应。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述缓冲层与所述第一吸收层的第一表面(S1)基本上共形。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第一材料包含铯。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其进一步包含含有第二材料(630)的第二吸收层(602),所述第二材料(630)具有小于所述第一能带隙的第二能带隙,其中所述第一吸收层和第二吸收层是单片集成的并且共同限定单片集成串联太阳能电池(600)。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中所述第二材料选自由以下组成的群组:硅、砷化镓(GaAs)、碲化镉(CdTe)、硒化铜铟镓(CIGS)和钙钛矿。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中所述第一材料包含铯并且所述第二材料是硅。
13.一种用于形成基于钙钛矿的太阳能电池的方法,所述太阳能电池操作用于将第一光信号(124)转换成电能,所述方法包括:
提供包含第一钙钛矿(112)的第一吸收层(110),所述第一吸收层操作用于吸收所述第一光信号的至少第一部分(P1);
形成安置在所述第一吸收层上的缓冲层(116),所述缓冲层包括包含第一金属氧化物的第一层(118),其中所述第一层在小于或等于150℃的温度下形成;和
在所述缓冲层上形成第一电接触件(122),其中所述第一电接触件对于所述第一光信号的至少一部分基本透明。
14.根据权利要求13所述的方法,其中形成所述第一层以使得其与所述第一吸收层的第一表面(S1)基本上共形。
15.根据权利要求13所述的方法,其中形成所述缓冲层以使得其包括包含第二金属氧化物的第二层(120)。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述第一金属氧化物选自由以下组成的群组:氧化锡、氧化锌和氧化钛,并且其中所述第二金属氧化物是氧化锌锡(ZTO)。
17.根据权利要求13所述的方法,其中所述第一钙钛矿包括铯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于小利兰斯坦福大学理事会,未经小利兰斯坦福大学理事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780066731.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择