[发明专利]切割片有效
| 申请号： | 201780067328.7 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110073468B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山下茂之 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割片，其至少具备基材与层叠于所述基材的第一面侧的粘着剂层，其特征在于：
所述基材的第二面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，且
所述基材的第二面的最大高度粗糙度(Rz)为3μm以下。
2.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，所述基材的雾度值为15％以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割片，其特征在于，所述基材为由聚烯烃构成的树脂膜。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的切割片，其特征在于，其用于隐形切割。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的切割片，其特征在于，其用于包含从所述基材的第二面侧拍摄位于所述基材的第一面侧的工件的动作的用途。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
