[发明专利]隐形切割用粘着片有效
申请号: | 201780067345.0 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN109997218B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 山下茂之 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J133/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隐形 切割 粘着 | ||
1.一种隐形切割用粘着片,其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层,其特征在于,
所述基材在23℃下的拉伸弹性模量为50MPa以上且200MPa以下,所述基材包含聚烯烃类膜、乙烯类共聚膜中的至少一种,所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的能量射线固化性粘着剂构成,所述丙烯酸类共聚物含有丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-羟基乙酯及烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯作为结构单体。
2.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,
构成所述丙烯酸类共聚物的主链的全部单体中,所述丙烯酸2-羟基乙酯的含量为5质量%以上且40质量%以下,
构成所述丙烯酸类共聚物的主链的全部单体中,所述烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量为5质量%以上且40质量%以下。
3.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,
构成所述丙烯酸类共聚物的主链的全部单体中,所述烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量相对于所述丙烯酸正丁酯的含量的质量比为0.08以上且1.0以下,
构成所述丙烯酸类共聚物的主链的全部单体中,所述烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量相对于所述丙烯酸2-羟基乙酯的含量的质量比为0.3以上且4.0以下。
4.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,所述丙烯酸类共聚物的玻璃化转变温度(Tg)为-50℃以上且0℃以下。
5.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,所述丙烯酸类共聚物的溶解参数(SP值)为9.06以上且10以下。
6.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,所述烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯或丙烯酸乙酯。
7.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,所述基材由选自无规聚丙烯、低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的至少一种形成。
8.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,将具有贯通电极的半导体晶圆作为工件。
9.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,在具备使用溶剂对层叠在所述隐形切割用粘着片上的工件进行清洗的工序的半导体装置的制造方法中使用。
10.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片,其特征在于,在具备通过加热而使层叠了工件的所述隐形切割用粘着片的未层叠所述工件的区域收缩的工序的半导体装置的制造方法中使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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