[发明专利]磁记录介质用溅射靶有效
| 申请号： | 201780067434.5 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109923610B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金光谭;栉引了辅;山本俊哉;齐藤伸;日向慎太朗 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C22C5/04;C22C19/07;C22C32/00;C23C14/06;C23C14/34;G11B5/65 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 溅射 | ||
1.一种磁记录介质用溅射靶，其含有金属Pt和氧化物，余量由金属Co和不可避免的杂质构成，所述磁记录介质用溅射靶的特征在于，
相对于所述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计，含有70原子％以上且90原子％以下的金属Co，含有10原子％以上且30原子％以下的金属Pt，
相对于所述磁记录介质用溅射靶的整体，含有26体积％以上且40体积％以下的所述氧化物，
并且，所述氧化物由B2O3和熔点为1470℃以上且2800℃以下的一种以上的高熔点氧化物构成。
2.一种磁记录介质用溅射靶，其含有金属Pt、金属Cr和氧化物，余量由金属Co和不可避免的杂质构成，所述磁记录介质用溅射靶的特征在于，
相对于所述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计，含有70原子％以上且小于90原子％的金属Co，含有10原子％以上且小于30原子％的金属Pt，含有多于0原子％且10原子％以下的金属Cr，
相对于所述磁记录介质用溅射靶的整体，含有26体积％以上且40体积％以下的所述氧化物，
并且，所述氧化物由B2O3和熔点为1470℃以上且2800℃以下的一种以上的高熔点氧化物构成。
3.如权利要求1所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，
所述B2O3相对于所述一种以上的高熔点氧化物的合计的体积比为0.5以上且4以下。
4.如权利要求2所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，
所述B2O3相对于所述一种以上的高熔点氧化物的合计的体积比为0.5以上且4以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，所述一种以上的高熔点氧化物为选自由TiO2、SiO2、Ta2O5、Cr2O3、Al2O3和ZrO2组成的组中的一种以上的氧化物。
6.如权利要求5所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，所述一种以上的高熔点氧化物为TiO2。
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