[发明专利]氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种氧化物烧结材料，其包含In₂O₃晶相、Zn₄In₂O₇晶相和ZnWO₄晶相，其中，

所述In₂O₃晶相的含量大于等于25质量％且小于98质量％，

所述Zn₄In₂O₇晶相的含量大于等于1质量％且小于50质量％，

所述ZnWO₄晶相的含量大于等于0.001质量％且小于10质量％，并且

由所述ZnWO₄晶相构成的晶粒的圆度大于等于0.01且小于0.7，所述圆度通过如下方式计算：用粒子的实际占据面积除以与实际测定的所述粒子的周长具有相同周长的完美圆所占据的面积。

2.如权利要求1所述的氧化物烧结材料，其中，

所述氧化物烧结材料中的相对于铟、钨和锌的总量的钨的含量大于0.001原子％且小于20原子％，并且

所述氧化物烧结材料中的相对于铟、钨和锌的总量的锌的含量大于1.2原子％且小于40原子％。

3.如权利要求1或2所述的氧化物烧结材料，其中，

所述氧化物烧结材料中的锌的含量对钨的含量之比以原子比计大于1且小于20000。

4.如权利要求1或2所述的氧化物烧结材料，其还包含锆，并且

所述氧化物烧结材料中的相对于铟、钨、锌和锆的总量的锆的含量以原子比计为0.1ppm以上且200ppm以下。

5.一种溅射靶，其包含如权利要求1至4中任一项所述的氧化物烧结材料。

6.一种用于制造包含氧化物半导体膜的半导体器件的方法，所述方法包含以下工序：

准备如权利要求5所述的溅射靶；以及

使用所述溅射靶通过溅射方法形成所述氧化物半导体膜。

7.一种用于制造氧化物烧结材料的方法，其为用于制造如权利要求1至4中任一项所述的氧化物烧结材料的方法，所述方法包含：

通过烧结含有铟、钨和锌的成型体来形成所述氧化物烧结材料的工序，

形成所述氧化物烧结材料的工序包含将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围内的恒定的第一温度下放置30分钟以上。

8.如权利要求7所述的用于制造氧化物烧结材料的方法，其中，

形成所述氧化物烧结材料的工序依下述顺序包含：

将所述成型体在所述第一温度下放置30分钟以上，以及

将所述成型体在含氧气氛中在第二温度下放置，所述第二温度大于等于800℃且小于1200℃、并且高于所述第一温度。