[发明专利]电容器、电极、还原氧化石墨烯以及制造的方法和设备在审
申请号: | 201780067488.1 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN109906499A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 林瀚;贾宝华 | 申请(专利权)人: | 斯威本科技大学 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/28;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 还原氧化石墨烯 辐射束 电容器 方法和设备 氧化石墨烯 电极 三维 照射 图案 制造 | ||
1.一种方法,其包括:
将氧化石墨烯(GO)用光束或辐射束来照射,从而形成三维(3D)图案的还原氧化石墨烯(RGO),其中所述RGO为具有孔的多孔RGO,所述孔具有通过控制所述光束或辐射束来调节的尺寸。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述GO包括一层或多层多孔GO膜。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述多孔GO膜的各层包括:
多层多孔GO片;和
位于两个以上的GO片之间的氧官能团。
4.根据权利要求3所述的方法,其包括将所述GO片之间的氧官能团中的至少一部分通过照射来除去。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其包括通过照射所述多孔GO膜而在所述多孔GO膜中产生孔。
6.根据权利要求2~5任一项所述的方法,其包括在照射期间使所述光束或辐射束相对于所述多孔GO膜移动。
7.根据权利要求2~6任一项所述的方法,其中所述GO包括由透明的绝缘介电材料隔开的多层多孔GO膜。
8.根据权利要求7所述的方法,其包括通过照射使所述多层多孔GO膜同时还原。
9.根据权利要求1~8任一项所述的方法,其中所述GO包括GO溶液。
10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括:
将石墨氧化,从而形成氧化的石墨;和
将所述氧化的石墨在溶剂中剥落,从而形成所述GO溶液。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其进一步包括:
将基材浸没在所述GO溶液中,从而接收所形成的RGO。
12.根据权利要求9~11任一项所述的方法,其进一步包括:
使所述光束或辐射束聚焦至在所述GO溶液的表面上的点或者接近所述GO溶液的表面的点。
13.根据权利要求9~12任一项所述的方法,其进一步包括:
将交联剂添加至所述GO溶液中。
14.根据权利要求13所述的方法,其中照射使所述GO交联和还原。
15.根据权利要求1~14任一项所述的方法,其中所述光束或辐射束包括连续波(CW)激光束或脉冲激光束。
16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包括:
使基材相对于所述GO溶液的表面向下移动,从而制作所述RGO的3D图案。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述3D图案包括阳极与阴极缠结的3D图案。
18.根据权利要求1~17任一项所述的方法,其进一步包括:
使用所形成的RGO制成RGO电极。
19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括:
在照射之前使集电体连接至所述GO。
20.根据权利要求18或19所述的方法,其进一步包括:
在照射之后使集电体连接至所述RGO。
21.一种还原氧化石墨烯(RGO)三维(3D)结构体,其通过根据权利要求1~17任一项所述的方法制成。
22.一种还原氧化石墨烯(RGO)电极,其通过根据权利要求1~18任一项所述的方法制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造