[发明专利]多晶金刚石及其制法

权利要求书

1.一种以金刚石单相作为基本组成的多晶金刚石，其中

所述多晶金刚石包括多个晶粒，

所述多晶金刚石包含硼、氢、氧、以及包括碳和微量杂质的剩余物，

所述硼以原子水平分散在所述晶粒中，并且90原子％以上的所述硼以孤立置换型存在，

所述氢和所述氧以孤立置换型或间隙型存在于所述晶粒中，

每个所述晶粒的粒度为500nm以下，并且

所述多晶金刚石的表面被保护膜覆盖，

其中所述多晶金刚石包含石墨烯纳米带。

2.根据权利要求1所述的多晶金刚石，其中99原子％以上的所述硼以孤立置换型存在于所述晶粒中。

3.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述硼的原子浓度为1×10¹⁴cm^-3以上1×10²²cm^-3以下。

4.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述氢的原子浓度为1×10¹⁷cm^-3以上1×10²⁰cm^-3以下。

5.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述氧的原子浓度为1×10¹⁷cm^-3以上1×10²⁰cm^-3以下。

6.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中在所述多晶金刚石的拉曼光谱测定中，1575cm^-1±30cm^-1附近且半宽大于10cm^-1但在20cm^-1以下的峰的面积小于1300cm^-1±30cm^-1附近且半宽为60cm^-1以下的峰的面积的1％。

7.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述多晶金刚石的所述表面具有0.06以下的动态摩擦系数。

8.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述多晶金刚石的所述表面具有0.05以下的动态摩擦系数。

9.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述保护膜包含BO_X簇、以及为所述碳的氧末端的O和OH中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的多晶金刚石，其中所述保护膜包含从所述晶粒中析出的析出物。

11.根据权利要求1或2所述的多晶金刚石，其中所述保护膜的平均膜厚为1nm以上1000nm以下。

12.根据权利要求6所述的多晶金刚石，其中在所述拉曼光谱测定中，所述多晶金刚石具有拉曼位移为1554cm^-1±20cm^-1且半宽为10cm^-1以下的峰。

13.根据权利要求6所述的多晶金刚石，其中在所述拉曼光谱测定中，所述多晶金刚石具有拉曼位移为2330cm^-1±20cm^-1且半宽为6cm^-1以下的峰。