[发明专利]单晶提拉装置在审

专利信息
申请号: 201780067855.8 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN109923248A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 添田聪;中川和也 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 掺杂剂 升华室 吹送 单晶提拉装置 载气 吹送装置 投入装置 原料熔液 升华 腔室 掺杂 收纳 导入装置 供给单元 升华性 连结 室内 外部
【权利要求书】:

1.一种单晶提拉装置,其具备:用于对收容于坩埚的原料进行加热而制成原料熔液的加热器、容纳该加热器和所述坩埚的腔室、以及向所述原料熔液供给升华性的掺杂剂的掺杂剂供给单元,且用切克劳斯基法从所述原料熔液中提拉单晶硅,所述单晶提拉装置特征在于,

所述掺杂剂供给单元具备:设置于所述腔室的外部并收纳所述掺杂剂且将其投入到所述腔室内的投入装置、设置于所述腔室的内部且对从所述投入装置投入的掺杂剂进行保持并使其升华的升华室、向该升华室导入载气的载气导入装置、以及将在所述升华室中升华了的掺杂剂与来自该载气导入装置的载气一起向所述原料熔液面吹送的吹送装置,

该吹送装置具备与所述升华室连结的管和多个吹送口,使所述升华了的掺杂剂经由所述管从所述多个吹送口向所述原料熔液面分散地吹送。

2.根据权利要求1所述的单晶提拉装置,其特征在于,

所述吹送装置的所述管分支成两根以上,在该分支的各前端开设的一个以上的孔构成所述多个吹送口。

3.根据权利要求1或2所述的单晶提拉装置,其特征在于,

在所述吹送装置的所述管的前端开设的多个孔构成所述多个吹送口。

4.根据权利要求1所述的单晶提拉装置,其特征在于,

所述吹送装置在所述管的前端装备有可装卸的转换件,在该转换件开设的多个孔构成所述多个吹送口。

5.根据权利要求4所述的单晶提拉装置,其特征在于,

所述吹送装置的所述管分支成两根以上,在该分支的各前端装备有所述转换件。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的单晶提拉装置,其特征在于,

所述吹送装置具备对所述多个吹送口进行封堵的可装卸的盖子。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的单晶提拉装置,其特征在于,

所述掺杂剂是磷或者砷。

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